直接測定による電子セラミックスの一粒界の電気的性質に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
直接測定による電子セラミックスの一粒界の電気的性質に関する研究
- 著者名
-
角野, 裕康
- 著者別名
-
スミノ, ヒロヤス
- 学位授与大学
-
東京工業大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第2417号
- 学位授与年月日
-
1992-03-26
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0002.jp2)
- 目次 / p1 (0004.jp2)
- 第1章 緒言 / p1 (0007.jp2)
- 1-1 研究の背景と目的 / p1 (0007.jp2)
- 1-2 PTCサーミスタ / p2 (0008.jp2)
- 1-3 ZnOバリスタ / p5 (0011.jp2)
- 1-4 BL(Boundary Layer)コンデンサ(粒界層型コンデンサ) / p8 (0014.jp2)
- 1-5 研究計画 / p11 (0017.jp2)
- 参考文献 / p13 (0019.jp2)
- 図表 / p16 (0022.jp2)
- 第2章 セラミックスの微小領域の電気的性質測定法 / p32 (0038.jp2)
- 2-1 はじめに / p32 (0038.jp2)
- 2-2 装置の概要 / p33 (0039.jp2)
- 2-3 直流四探針法によるシリコンウエハの抵抗率の測定 / p33 (0039.jp2)
- 2-4 直流四探針法による半導性BaTiO₃およびBLコンデンサの粒の抵抗率の測定 / p36 (0042.jp2)
- 2-5 まとめ / p40 (0046.jp2)
- 参考文献 / p42 (0048.jp2)
- 図表 / p43 (0049.jp2)
- 第3章 PTCサーミスタの一粒界の電気的性質 / p50 (0056.jp2)
- 3-1 はじめに / p50 (0056.jp2)
- 3-2 室温付近における粒と粒界の抵抗の違い / p50 (0056.jp2)
- 3-3 PTC効果の粒界依存性 / p54 (0060.jp2)
- 3-4 合成したPTCサーミスタの一粒界のPTC効果 / p60 (0066.jp2)
- 3-5 まとめ / p63 (0069.jp2)
- 参考文献 / p65 (0071.jp2)
- 図表 / p66 (0072.jp2)
- 第4章 ZnOバリスタの一粒界のV-I特性 / p77 (0083.jp2)
- 4-1 はじめに / p77 (0083.jp2)
- 4-2 実験方法 / p77 (0083.jp2)
- 4-3 結果と考察 / p78 (0084.jp2)
- 4-4 まとめ / p84 (0090.jp2)
- 参考文献 / p86 (0092.jp2)
- 図表 / p87 (0093.jp2)
- 第5章 BLコンデンサの微構造と一粒界の静電容量の関係 / p96 (0102.jp2)
- 5-1 はじめに / p96 (0102.jp2)
- 5-2 BLコンデンサの合成方法 / p97 (0103.jp2)
- 5-3 合成したBLコンデンサの微構造と電気的性質 / p98 (0104.jp2)
- 5-4 BLコンデンサの粒界相の同定と合成 / p100 (0106.jp2)
- 5-5 高温顕微鏡による粒界相の生成過程の観察 / p104 (0110.jp2)
- 5-6 一方向拡散試料の一粒界の静電容量 / p106 (0112.jp2)
- 5-7 一粒界の静電容量と微構造の直接対応 / p107 (0113.jp2)
- 5-8 ICTS法による一粒界のショットキー障壁の評価 / p109 (0115.jp2)
- 5-9 まとめ / p113 (0119.jp2)
- 参考文献 / p115 (0121.jp2)
- 図表 / p116 (0122.jp2)
- 第6章 本研究の総括と今後の課題 / p131 (0137.jp2)
- 図表 / p138 (0144.jp2)
- 謝辞 / p139 (0145.jp2)