Study of ultra-high carbon-doping in GaAs and InGaAs grown by metalorganic molecular beam epitaxy 有機金属分子線エピタキシー法によるGaAs,InGaAsへの超高濃度カーボンドーピングに関する研究

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著者

    • 山田, 巧 ヤマダ, タクミ

書誌事項

タイトル

Study of ultra-high carbon-doping in GaAs and InGaAs grown by metalorganic molecular beam epitaxy

タイトル別名

有機金属分子線エピタキシー法によるGaAs,InGaAsへの超高濃度カーボンドーピングに関する研究

著者名

山田, 巧

著者別名

ヤマダ, タクミ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第2455号

学位授与年月日

1992-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. TABLE OF CONTENTS / (0005.jp2)
  3. PREFACE / (0004.jp2)
  4. Chapter1.Overview and Objective / p1 (0007.jp2)
  5. Chapter2.Key Features and Principles of GaAs Metalorganic Molecular Beam Epitaxy(MOMBE) / p5 (0009.jp2)
  6. 2-1.Introduction / p5 (0009.jp2)
  7. 2-2.Fundamental features of MOMBE / p6 (0010.jp2)
  8. 2-3.Historical background / p10 (0012.jp2)
  9. 2-4.Growth mechanism / p13 (0013.jp2)
  10. 2-5.Photo-MOMBE / p21 (0017.jp2)
  11. 2-6.Summary / p22 (0018.jp2)
  12. Chapter3.Heavy Carbon-Doping in GaAs Grown by MOMBE / p23 (0018.jp2)
  13. 3-1.Introduction / p23 (0018.jp2)
  14. 3-2.MOMBE systems and experimental / p25 (0019.jp2)
  15. 3-3.Doping characteristics / p28 (0021.jp2)
  16. 3-4.Doping mechanism / p34 (0024.jp2)
  17. 3-5.Prospects for further heavy doping / p41 (0027.jp2)
  18. 3-6.Summary / p47 (0030.jp2)
  19. Chapter4.Characterization of Heavily Carbon-Doped GaAs / p48 (0031.jp2)
  20. 4-1.Introduction / p48 (0031.jp2)
  21. 4-2.Electrical properties / p49 (0031.jp2)
  22. 4-3.Optical properties / p54 (0034.jp2)
  23. 4-4.Crystallinity / p59 (0036.jp2)
  24. 4-5.Summary / p84 (0049.jp2)
  25. Chapter5.Carbon δ-Doping in GaAs / p85 (0049.jp2)
  26. 5-1.Introduction / p85 (0049.jp2)
  27. 5-2.Experimental / p86 (0050.jp2)
  28. 5-3.Effects of growth condition on the peak hole concentration / p88 (0051.jp2)
  29. 5-4.Mechanism of δ-doping / p101 (0057.jp2)
  30. 5-5.Summary / p105 (0059.jp2)
  31. Chapter6.Heavy Carbon-Doping in AlGaAs and InGaAs Grown by MOMBE / p106 (0060.jp2)
  32. 6-1.Introduction / p106 (0060.jp2)
  33. 6-2.Heavy carbon-doping in AlGaAs / p107 (0060.jp2)
  34. 6-3.Heavily carbon-doped InGaAs lattice-matched to GaAs / p110 (0062.jp2)
  35. 6-4.Doping characteristics in InGaAs / p117 (0065.jp2)
  36. 6-5.Summary / p128 (0071.jp2)
  37. Chapter7.Thermal Stability of Carbon in GaAs and InGaAs / p129 (0071.jp2)
  38. 7-1.Introduction / p129 (0071.jp2)
  39. 7-2.Thermal stability of carbon in GaAs / p130 (0072.jp2)
  40. 7-3.Thermal stability of carbon in InGaAs / p145 (0079.jp2)
  41. 7-4.Summary / p154 (0084.jp2)
  42. Chapter8.General Conclusion / p155 (0084.jp2)
  43. Appendix I.Rate equations / p159 (0086.jp2)
  44. Appendix II.Adsorption rate and adsorption equilibrium / p164 (0089.jp2)
  45. References / p166 (0090.jp2)
  46. Acknowledgment / p172 (0093.jp2)
  47. List of publications / p174 (0094.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000088389
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000088608
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000252703
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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