高次原料ガスを用いた低温CVD法とその薄膜トランジスタ応用に関する研究

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著者

    • 加納, 博司 カノウ, ヒロシ

書誌事項

タイトル

高次原料ガスを用いた低温CVD法とその薄膜トランジスタ応用に関する研究

著者名

加納, 博司

著者別名

カノウ, ヒロシ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第2458号

学位授与年月日

1992-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 論文目次 / (0004.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0008.jp2)
  4. 1.1 ディスプレイデバイスの現状と展望 / p1 (0008.jp2)
  5. 1.2 薄膜トランジスタ駆動液晶ディスプレイ / p3 (0010.jp2)
  6. 1.3 薄膜トランジスタプロセスの課題 / p9 (0016.jp2)
  7. 1.4 薄膜成膜技術の問題とその対応策 / p11 (0018.jp2)
  8. 1.5 本研究の目的および概要 / p15 (0022.jp2)
  9. 第2章 低温CVD法の概略 / p21 (0028.jp2)
  10. 2.1 はじめに / p21 (0028.jp2)
  11. 2.2 CVDのメカニズム / p22 (0029.jp2)
  12. 2.3 CVD温度の低温化 / p30 (0037.jp2)
  13. 2.4 原料ガスの検討 / p32 (0039.jp2)
  14. 2.5 評価手段 / p39 (0046.jp2)
  15. 2.6 まとめ / p43 (0050.jp2)
  16. 第3章 a-Si膜の低温CVD / p45 (0052.jp2)
  17. 3.1 はじめに / p45 (0052.jp2)
  18. 3.2 CVDシステム / p45 (0052.jp2)
  19. 3.3 低温CVD膜 / p53 (0060.jp2)
  20. 3.4 低圧CVD膜 / p61 (0068.jp2)
  21. 3.5 ホットウォールCVD膜 / p69 (0076.jp2)
  22. 3.6 まとめ / p72 (0079.jp2)
  23. 第4章 ポスト水素化によるa-Si膜の高品質化 / p74 (0081.jp2)
  24. 4.1 はじめに / p74 (0081.jp2)
  25. 4.2 水銀増感光励起水素ラジカルアニール / p76 (0083.jp2)
  26. 4.3 ギャップセルによるa-S i膜の評価 / p79 (0086.jp2)
  27. 4.4 ポスト水素化機構 / p84 (0091.jp2)
  28. 4.5 熱フィラメント水素ラジカルアニール / p93 (0100.jp2)
  29. 4.6 まとめ / p97 (0104.jp2)
  30. 第5章 n⁺a-Si膜の形成 / p99 (0106.jp2)
  31. 5.1はじめに / p99 (0106.jp2)
  32. 5.2 イオン注入法による導電率制御 / p101 (0108.jp2)
  33. 5.3 まとめ / p109 (0116.jp2)
  34. 第6章 SiN膜の低温CVD / p110 (0117.jp2)
  35. 6.1 はじめに / p110 (0117.jp2)
  36. 6.2 CVDシステム / p110 (0117.jp2)
  37. 6.3 ジシランとヒドラジンによるSiN / p112 (0119.jp2)
  38. 6.4 トリシランとアジ化水素によるSiN / p133 (0140.jp2)
  39. 6.5 テトラシランとアジ化水素によるSiN / p141 (0148.jp2)
  40. 6.6 ホットウォール成膜SiN / p147 (0154.jp2)
  41. 6.7 まとめ / p152 (0159.jp2)
  42. 第7章 低温CVD膜の薄膜トランジスタ応用 / p154 (0161.jp2)
  43. 7.1 はじめに / p154 (0161.jp2)
  44. 7.2 CVDa-Si/熱Si0₂TFT / p156 (0163.jp2)
  45. 7.3 CVDa-Si/CVDSiNTFT / p177 (0184.jp2)
  46. 7.4 トップゲート構造CVDSiO₂/CVDa-SiTFT / p210 (0217.jp2)
  47. 7.5 まとめ / p224 (0231.jp2)
  48. 第8章 低温熱酸化法 / p226 (0233.jp2)
  49. 8.1 はじめに / p226 (0233.jp2)
  50. 8.2 熱酸化膜の成長機構 / p227 (0234.jp2)
  51. 8.3 低温熱酸化膜の評価 / p238 (0245.jp2)
  52. 8.4 まとめ / p248 (0255.jp2)
  53. 第9章 結論 / p250 (0257.jp2)
  54. 謝辞 / p254 (0261.jp2)
  55. 参考文献 / p255 (0262.jp2)
  56. 発表文献 / p269 (0276.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000088392
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000088611
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000252706
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション

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