原子状水素制御によるZn(S,Se,Te)半導体薄膜の低温成長

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著者

    • 後藤, 順 ゴトウ, ジュン

書誌事項

タイトル

原子状水素制御によるZn(S,Se,Te)半導体薄膜の低温成長

著者名

後藤, 順

著者別名

ゴトウ, ジュン

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第2484号

学位授与年月日

1992-03-26

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / p1 (0004.jp2)
  3. 第1章 序論 / p6 (0009.jp2)
  4. 1.1 はじめに / p6 (0009.jp2)
  5. 1.2 II-VI化合物半導体 / p6 (0009.jp2)
  6. 1.3 主な薄膜作成技術 / p15 (0018.jp2)
  7. 1.4 本研究の目的 / p24 (0027.jp2)
  8. 1.5 本論文の構成 / p26 (0029.jp2)
  9. 第2章 実験 / p28 (0031.jp2)
  10. 2.1 作成方法 / p28 (0031.jp2)
  11. 2.2 評価方法 / p49 (0052.jp2)
  12. 第3章 同軸2重管型装置によるZn(Se、Te)ヘテロエピタキシャル成長 / p65 (0068.jp2)
  13. 3.1 序 / p65 (0068.jp2)
  14. 3.2 薄膜の堆積過程 / p65 (0068.jp2)
  15. 3.3 エピタキシャル成長 / p81 (0084.jp2)
  16. 3.4 コヒーレント成長と格子緩和 / p124 (0127.jp2)
  17. 3.5 伝導度制御(価電子制御) / p147 (0150.jp2)
  18. 第4章 改良型HR-CVD法装置によるZn(S、Se)ヘテロエピタキシャル成長 / p155 (0158.jp2)
  19. 4.1 序 / p155 (0158.jp2)
  20. 4.2 プラズマガスの種類 / p156 (0159.jp2)
  21. 4.3 原料の導入法 / p157 (0160.jp2)
  22. 4.4 VI族原料の選択 / p159 (0162.jp2)
  23. 4.5 成長温度 / p161 (0164.jp2)
  24. 4.6 成長圧力 / p163 (0166.jp2)
  25. 4.7 原料VI/II流量比 / p163 (0166.jp2)
  26. 4.8 原子状水素の供給量 / p183 (0186.jp2)
  27. 4.9 [化学式]混晶の成長 / p188 (0191.jp2)
  28. 4.10 まとめ / p193 (0196.jp2)
  29. 第5章 原料交互供給によるZn(S、Se)ヘテロエピタキシャル成長 / p196 (0199.jp2)
  30. 5.1 序 / p196 (0199.jp2)
  31. 5.2 水素+アルゴン混合ガスプラズマを用いたZnSeの成長 / p196 (0199.jp2)
  32. 5.3 水素プラズマを用いたZn(S、Se)の成長 / p205 (0208.jp2)
  33. 5.4 イオン衝撃を抑制したZnSeの成長 / p218 (0221.jp2)
  34. 5.5 まとめ / p258 (0261.jp2)
  35. 5.6 HR-CVD法の総括 / p261 (0264.jp2)
  36. 第6章 擬平衡構造結晶の成長 / p265 (0268.jp2)
  37. 6.1 序 / p265 (0268.jp2)
  38. 6.2 [化学式]長周期歪超格子 / p266 (0269.jp2)
  39. 6.3 ZnS-ZnSe短周期歪超格子 / p278 (0281.jp2)
  40. 6.4 ZnS-ZnSe正則混晶の成長 / p283 (0286.jp2)
  41. 6.5 バンドプロファイリング / p295 (0298.jp2)
  42. 6.6 まとめ / p301 (0304.jp2)
  43. 第7章 将来の展望 / p302 (0305.jp2)
  44. 7.1 本研究の総括 / p302 (0305.jp2)
  45. 7.2 将来の展望 / p304 (0307.jp2)
  46. 第8章 まとめ / p308 (0311.jp2)
  47. 8.1 「第3章 同軸2重管型装置によるZn(Se、Te)ヘテロエピタキシャル成長」 / p308 (0311.jp2)
  48. 8.2 「第4章 改良型HR-CVD法装置によるZn(S、Se)ヘテロエピタキシャル成長」 / p309 (0312.jp2)
  49. 8.3 「第5章 原料交互供給によるZn(S、Se)ヘテロエピタキシャル成長」 / p310 (0313.jp2)
  50. 8.4 「第6章 擬平衡構造結晶の成長」 / p311 (0314.jp2)
  51. 謝辞 / p313 (0316.jp2)
  52. 本研究に関する発表論文 / p314 (0317.jp2)
  53. 本研究に関する学会発表 / p315 (0318.jp2)
  54. 参考文献 / p318 (0321.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000088418
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000088637
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000252732
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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