SiCをエミッタとするシリコン系ヘテロバイポーラトランジスタに関する研究

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著者

    • 杉井, 寿博 スギイ, トシヒロ

書誌事項

タイトル

SiCをエミッタとするシリコン系ヘテロバイポーラトランジスタに関する研究

著者名

杉井, 寿博

著者別名

スギイ, トシヒロ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第2224号

学位授与年月日

1991-05-31

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / (0003.jp2)
  3. 第1章 総論 / p1 (0008.jp2)
  4. 1.1 本研究の背景とSi-HBTの必要性 / p2 (0009.jp2)
  5. 1.2 HBTの高周波特性について / p10 (0017.jp2)
  6. 1.3 Si-HBTに関する従来の研究と問題点 / p15 (0022.jp2)
  7. 1.4 SiCの物性 / p19 (0026.jp2)
  8. 1.5 本研究の目的 / p21 (0028.jp2)
  9. 参考文献 / p22 (0029.jp2)
  10. 第2章 Si基板上への単結晶β-SiCのCVD成長と膜質評価 / p24 (0031.jp2)
  11. 2.1 序論 / p25 (0032.jp2)
  12. 2.2 単結晶β-SiCのCVD成長装置と成長方法 / p26 (0033.jp2)
  13. 2.3 結晶性 / p32 (0039.jp2)
  14. 2.4 ドーピング / p38 (0045.jp2)
  15. 2.5 β-SiC/Siヘテロ接合の電流伝達特性 / p44 (0051.jp2)
  16. 2.6 結論 / p48 (0055.jp2)
  17. 参考文献 / p49 (0056.jp2)
  18. 第3章 β-SiC/Siヘテロ接合のバンド構造 / p51 (0058.jp2)
  19. 3.1 序論 / p52 (0059.jp2)
  20. 3.2 バンド不連続の実験的決定法 / p53 (0060.jp2)
  21. 3.3 電気的特性から求めたバンド構造 / p56 (0063.jp2)
  22. 3.4 光電子分光法より求めたバンド構造 / p63 (0070.jp2)
  23. 3.5 バンド図から考察したpnp-HBTの電流利得 / p69 (0076.jp2)
  24. 3.6 結論 / p72 (0079.jp2)
  25. 参考文献 / p73 (0080.jp2)
  26. 第4章 単結晶β-SiC/Siヘテロバイポーラトランジスタ / p75 (0082.jp2)
  27. 4.1 序論 / p76 (0083.jp2)
  28. 4.2 作製プロセス / p77 (0084.jp2)
  29. 4.3 デバイス特性 / p79 (0086.jp2)
  30. 4.4 結論 / p90 (0097.jp2)
  31. 参考文献 / p91 (0098.jp2)
  32. 第5章 Si-HBTに適した極薄,高濃度ベースの形成 / p93 (0100.jp2)
  33. 5.1 序論 / p94 (0101.jp2)
  34. 5.2 エピタキシャルベーストランジスタ(EBT)作製プロセス / p97 (0104.jp2)
  35. 5.3 デバイス特性 / p101 (0108.jp2)
  36. 5.4 ベースでのバンドギャップナローイングが[化学式]に及ぼす効果 / p107 (0114.jp2)
  37. 5.5 結論 / p112 (0119.jp2)
  38. 参考文献 / p113 (0120.jp2)
  39. 第6章 SiC成長温度の低温化(I)ガスソースMBEによる単結晶β-SiCの成長 / p115 (0122.jp2)
  40. 6.1 序論 / p116 (0123.jp2)
  41. 6.2 ガスソースMBE装置と成長方法 / p117 (0124.jp2)
  42. 6.3 炭化層の評価 / p121 (0128.jp2)
  43. 6.4 炭化層上へのSiCのMBE / p128 (0135.jp2)
  44. 6.5 ガスソースMBEによるSiCの成長の問題点 / p132 (0139.jp2)
  45. 6.6 結論 / p134 (0141.jp2)
  46. 参考文献 / p135 (0142.jp2)
  47. 第7章 SiC成長温度の低温化(II)多結晶SiC / p136 (0143.jp2)
  48. 7.1 序論 / p137 (0144.jp2)
  49. 7.2 多結晶SiCの成長方法 / p138 (0145.jp2)
  50. 7.3 膜質の評価 / p139 (0146.jp2)
  51. 7.4 ドーピング / p147 (0154.jp2)
  52. 7.5 多結晶SiC/Siヘテロ接合の電流電圧特性 / p151 (0158.jp2)
  53. 7.6 多結晶SiC/Si-HBT / p156 (0163.jp2)
  54. 7.7 ダイオード特性における再結合電流とn値の関係 / p159 (0166.jp2)
  55. 7.8 結論 / p166 (0173.jp2)
  56. 参考文献 / p167 (0174.jp2)
  57. 第8章 フッ素ドープSiCx/Siヘテロバイポーラトランジスタ / p169 (0176.jp2)
  58. 8.1 序論 / p170 (0177.jp2)
  59. 8.2 フッ素ドープSiCxの成長方法 / p171 (0178.jp2)
  60. 8.3 膜質の評価 / p171 (0178.jp2)
  61. 8.4 SiCx/Si-HBT / p176 (0183.jp2)
  62. 8.5 SiCxの耐熱性 / p181 (0188.jp2)
  63. 8.6 ホモ接合トランジスタとの比較 / p183 (0190.jp2)
  64. 8.7 結論 / p185 (0192.jp2)
  65. 参考文献 / p186 (0193.jp2)
  66. 第9章 結論 / p187 (0194.jp2)
  67. 付録1 SiGeベースHBTのベース走行時間と真性ベース抵抗に関する検討 / p192 (0199.jp2)
  68. 付録1.1 はじめに / p192 (0199.jp2)
  69. 付録1.2 計算方法 / p193 (0200.jp2)
  70. 付録1.3 ベース走行時間 / p198 (0205.jp2)
  71. 付録1.4 SiGeの臨界膜厚について / p199 (0206.jp2)
  72. 付録1.5 真性ベース抵抗 / p203 (0210.jp2)
  73. 参考文献 / p207 (0214.jp2)
  74. 付録2 二種類の原子からなる一次元格子における伸縮振動の角周波数 / p208 (0215.jp2)
  75. 謝辞 / p211 (0218.jp2)
  76. 研究業績 / p212 (0219.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000088473
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000088692
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000252787
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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