珪素含有パターン形成材料に関する研究

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著者

    • 伴, 弘司 バン, ヒロシ

書誌事項

タイトル

珪素含有パターン形成材料に関する研究

著者名

伴, 弘司

著者別名

バン, ヒロシ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第2255号

学位授与年月日

1991-09-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / (0004.jp2)
  3. 第1章 緒論 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
  5. 1.2 本研究の背景 / p2 (0006.jp2)
  6. 1.3 多層レジストプロセス / p7 (0008.jp2)
  7. 1.4 本研究の目的と概要 / p10 (0010.jp2)
  8. 第2章 アルカリ可溶性シリコーン樹脂の合成 / p19 (0014.jp2)
  9. 2.1 はじめに / p19 (0014.jp2)
  10. 2.2 アセチル化シルセスキオキサンオリゴマ-(APSQ)への修飾 / p20 (0015.jp2)
  11. 2.3 APSQの分子構造 / p21 (0015.jp2)
  12. 2.4 APSQ合成の反応過程 / p24 (0017.jp2)
  13. 2.5 シラノール量とアルカリ可溶性との相関 / p26 (0018.jp2)
  14. 2.6 結論 / p27 (0018.jp2)
  15. 第3章 アルカリ現像型レジストの作製と評価 / p34 (0022.jp2)
  16. 3.1 はじめに / p34 (0022.jp2)
  17. 3.2 レジスト特性の評価法 / p35 (0022.jp2)
  18. 3.3 珪素含有ポジ型フォトレジスト-SPP- / p36 (0023.jp2)
  19. 3.4 珪素含有ポジ型電子線レジスト-SPR- / p43 (0026.jp2)
  20. 3.5 珪素含有ネガ型フォトレジスト-SNP- / p49 (0029.jp2)
  21. 3.6 結論 / p52 (0031.jp2)
  22. 第4章 有機ポリシランのレジスト特性と光化学反応 / p73 (0041.jp2)
  23. 4.1 はじめに / p73 (0041.jp2)
  24. 4.2 合成 / p74 (0042.jp2)
  25. 4.3 UVレジスト特性 / p75 (0042.jp2)
  26. 4.4 光反応によるシロキサン生成 / p76 (0043.jp2)
  27. 4.5 X線露光による反応 / p81 (0045.jp2)
  28. 4.6 電子線に対するレジスト特性 / p82 (0046.jp2)
  29. 4.7 結論 / p86 (0048.jp2)
  30. 第5章 電子線照射により生成する有機ポリシランの準安定イオン種 / p96 (0053.jp2)
  31. 5.1 はじめに / p96 (0053.jp2)
  32. 5.2 実験 / p97 (0053.jp2)
  33. 5.3 有機ポリシランのラジカルアニオン / p98 (0054.jp2)
  34. 5.4 反応速度と吸光係数 / p100 (0055.jp2)
  35. 5.5 鎖長依存性と側鎖置換基依存性 / p103 (0056.jp2)
  36. 5.6 ラジカルカチオン / p106 (0058.jp2)
  37. 5.7 溶融体 / p107 (0058.jp2)
  38. 5.8 同族ポリマーとの比較 / p108 (0059.jp2)
  39. 5.9 結論 / p108 (0059.jp2)
  40. 第6章 総括的結論 / p123 (0066.jp2)
  41. 謝辞 / p127 (0068.jp2)
  42. 用語の解説 / (0069.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000088504
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000088723
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000252818
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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