Study of the initial stages of molecular beam epitaxial growth of Ⅲ-Ⅴ compound semiconductors on silicon シリコン基板上へのⅢ-Ⅴ族化合物半導体のMBE成長初期過程に関する研究

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著者

    • 川浪, 仁志 カワナミ, ヒトシ

書誌事項

タイトル

Study of the initial stages of molecular beam epitaxial growth of Ⅲ-Ⅴ compound semiconductors on silicon

タイトル別名

シリコン基板上へのⅢ-Ⅴ族化合物半導体のMBE成長初期過程に関する研究

著者名

川浪, 仁志

著者別名

カワナミ, ヒトシ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第2312号

学位授与年月日

1992-02-29

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. CONTENTS / (0004.jp2)
  3. Chapter1 Introduction / p1 (0005.jp2)
  4. 1.1 Introduction to III-V on Si / p1 (0005.jp2)
  5. 1.2 Growth of III-V on Si / p2 (0006.jp2)
  6. 1.3 Problems of Polar on Nonpolar / p4 (0007.jp2)
  7. 1.4 Outline and Characteristics of the Study / p6 (0008.jp2)
  8. Chapter2 Surface Cleaning of Si Substrate / p8 (0009.jp2)
  9. 2.1 Carbon Contamination on Si Surface / p8 (0009.jp2)
  10. 2.2 Carbon Free Surface / p9 (0009.jp2)
  11. 2.3 Protective Thin Silicon Oxide Film / p13 (0011.jp2)
  12. 2.4 Source of Carbon Contaminants / p16 (0013.jp2)
  13. 2.5 Summary / p18 (0014.jp2)
  14. Chapter3 Annihilation of Antiphase Domain / p22 (0016.jp2)
  15. 3.1 Introduction / p22 (0016.jp2)
  16. 3.2 Antiphase Domain of GaAs Film on Si / p23 (0016.jp2)
  17. 3.3 Antiphase Domain of InP Film on Si / p27 (0018.jp2)
  18. 3.4 Self Annihilation Mechanism of APD / p32 (0021.jp2)
  19. 3.5 Summary / p39 (0024.jp2)
  20. Chapter4 Nucleation Stages of III-V on Si / p40 (0025.jp2)
  21. 4.1 Introduction / p40 (0025.jp2)
  22. 4.2 Experimental / p41 (0025.jp2)
  23. 4.3 Results and Discussion / p41 (0025.jp2)
  24. Chapter5 Axis Rotation of III-V Film on Tilted Si(001) / p47 (0028.jp2)
  25. 5.1 Introduction / p47 (0028.jp2)
  26. 5.2 Axis Rotation of GaAs Film by Pre-layer / p47 (0028.jp2)
  27. 5.3 Axis Rotation of InP Film by Pre-layer / p50 (0030.jp2)
  28. 5.4 Axis Rotation by Fractional Pre-layer / p50 (0030.jp2)
  29. 5.5 Growth on Spherical Si Substrate / p52 (0031.jp2)
  30. 5.6 Discussion / p59 (0034.jp2)
  31. 5.7 Summary / p61 (0035.jp2)
  32. Chapter6 Concluding Remarks / p62 (0036.jp2)
  33. Acknowledgments / p64 (0037.jp2)
  34. Appendix Growth and Device Process of GaP on Si / p65 (0037.jp2)
  35. A.1 Introduction / p65 (0037.jp2)
  36. A.2 Experimental / p65 (0037.jp2)
  37. A.3 Results and Discussion / p66 (0038.jp2)
  38. A.4 Summary / p75 (0042.jp2)
  39. References / p78 (0044.jp2)
  40. Related Publication / p86 (0048.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000088561
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000088780
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000252875
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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