混晶系薄膜半導体の結晶成長と光学評価に関する研究

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著者

    • 長谷, 亘康 ハセ, ノブヤス

書誌事項

タイトル

混晶系薄膜半導体の結晶成長と光学評価に関する研究

著者名

長谷, 亘康

著者別名

ハセ, ノブヤス

学位授与大学

神戸大学

取得学位

学術博士

学位授与番号

乙第1626号

学位授与年月日

1992-03-18

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. §1.1 序言 / p1 (0005.jp2)
  4. §1.2 混晶半導体 / p2 (0006.jp2)
  5. §1.3 MOCVD法の概要とその特徴 / p7 (0008.jp2)
  6. §1.4 本研究の目的と論文の構成 / p9 (0009.jp2)
  7. 参考文献 / p12 (0011.jp2)
  8. 第2章 lnP基板上へのlnP結晶の成長 / p16 (0013.jp2)
  9. §2.1 序言 / p16 (0013.jp2)
  10. §2.2 成長方法および成長条件 / p19 (0014.jp2)
  11. §2.3 エピタキシャル結晶の評価とMESFETの試作 / p35 (0022.jp2)
  12. §2.4 結語 / p42 (0026.jp2)
  13. 参考文献 / p44 (0027.jp2)
  14. 第3章 InP基板上へのInGaAs結晶の成長 / p46 (0028.jp2)
  15. §3.1 序言 / p46 (0028.jp2)
  16. §3.2 成長方法および成長条件 / p47 (0028.jp2)
  17. §3.3 エピタキシャル結晶の評価 / p57 (0033.jp2)
  18. §3.4 結語 / p57 (0033.jp2)
  19. 参考文献 / p59 (0034.jp2)
  20. 第4章 InP基板上へのInGaAsP結晶の成長 / p61 (0035.jp2)
  21. §4.1 序言 / p61 (0035.jp2)
  22. §4.2 成長方法および成長条件 / p62 (0036.jp2)
  23. §4.3 エピタキシャル結晶の評価 / p73 (0041.jp2)
  24. §4.4 InGaAsP/InP-多重量子井戸エピタキシャル結晶 / p78 (0044.jp2)
  25. §4.5 結語 / p82 (0046.jp2)
  26. 参考文献 / p84 (0047.jp2)
  27. 第5章 GaAs基板上へのAlGaInP系結晶の成長 / p86 (0048.jp2)
  28. §5.1 序言 / p86 (0048.jp2)
  29. §5.2 成長方法および成長条件 / p87 (0048.jp2)
  30. §5.3 エピタキシャル結晶の評価 / p97 (0053.jp2)
  31. §5.4 結語 / p99 (0054.jp2)
  32. 参考文献 / p101 (0055.jp2)
  33. 第6章 CdSSe系薄膜結晶の成長とFranz-Keldysh効果 / p103 (0056.jp2)
  34. §6.1 序言 / p103 (0056.jp2)
  35. §6.2 Franz-Keldysh効果 / p104 (0057.jp2)
  36. §6.3 CdS₁-x Sex混晶薄膜の成長 / p108 (0059.jp2)
  37. §6.4 F-K効果の実験とその結果 / p110 (0060.jp2)
  38. §6.5 結語 / p123 (0066.jp2)
  39. 参考文献 / p124 (0067.jp2)
  40. 第7章 結論 / p127 (0068.jp2)
  41. 本研究に関する発表論文 / p131 (0070.jp2)
  42. 本研究に関する学会発表 / p132 (0071.jp2)
  43. 本研究の国際会議での報告 / p133 (0071.jp2)
  44. 謝辞 / p134 (0072.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000088883
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000089102
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000253197
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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