混晶系薄膜半導体の結晶成長と光学評価に関する研究
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Author
Bibliographic Information
- Title
-
混晶系薄膜半導体の結晶成長と光学評価に関する研究
- Author
-
長谷, 亘康
- Author(Another name)
-
ハセ, ノブヤス
- University
-
神戸大学
- Types of degree
-
学術博士
- Grant ID
-
乙第1626号
- Degree year
-
1992-03-18
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- §1.1 序言 / p1 (0005.jp2)
- §1.2 混晶半導体 / p2 (0006.jp2)
- §1.3 MOCVD法の概要とその特徴 / p7 (0008.jp2)
- §1.4 本研究の目的と論文の構成 / p9 (0009.jp2)
- 参考文献 / p12 (0011.jp2)
- 第2章 lnP基板上へのlnP結晶の成長 / p16 (0013.jp2)
- §2.1 序言 / p16 (0013.jp2)
- §2.2 成長方法および成長条件 / p19 (0014.jp2)
- §2.3 エピタキシャル結晶の評価とMESFETの試作 / p35 (0022.jp2)
- §2.4 結語 / p42 (0026.jp2)
- 参考文献 / p44 (0027.jp2)
- 第3章 InP基板上へのInGaAs結晶の成長 / p46 (0028.jp2)
- §3.1 序言 / p46 (0028.jp2)
- §3.2 成長方法および成長条件 / p47 (0028.jp2)
- §3.3 エピタキシャル結晶の評価 / p57 (0033.jp2)
- §3.4 結語 / p57 (0033.jp2)
- 参考文献 / p59 (0034.jp2)
- 第4章 InP基板上へのInGaAsP結晶の成長 / p61 (0035.jp2)
- §4.1 序言 / p61 (0035.jp2)
- §4.2 成長方法および成長条件 / p62 (0036.jp2)
- §4.3 エピタキシャル結晶の評価 / p73 (0041.jp2)
- §4.4 InGaAsP/InP-多重量子井戸エピタキシャル結晶 / p78 (0044.jp2)
- §4.5 結語 / p82 (0046.jp2)
- 参考文献 / p84 (0047.jp2)
- 第5章 GaAs基板上へのAlGaInP系結晶の成長 / p86 (0048.jp2)
- §5.1 序言 / p86 (0048.jp2)
- §5.2 成長方法および成長条件 / p87 (0048.jp2)
- §5.3 エピタキシャル結晶の評価 / p97 (0053.jp2)
- §5.4 結語 / p99 (0054.jp2)
- 参考文献 / p101 (0055.jp2)
- 第6章 CdSSe系薄膜結晶の成長とFranz-Keldysh効果 / p103 (0056.jp2)
- §6.1 序言 / p103 (0056.jp2)
- §6.2 Franz-Keldysh効果 / p104 (0057.jp2)
- §6.3 CdS₁-x Sex混晶薄膜の成長 / p108 (0059.jp2)
- §6.4 F-K効果の実験とその結果 / p110 (0060.jp2)
- §6.5 結語 / p123 (0066.jp2)
- 参考文献 / p124 (0067.jp2)
- 第7章 結論 / p127 (0068.jp2)
- 本研究に関する発表論文 / p131 (0070.jp2)
- 本研究に関する学会発表 / p132 (0071.jp2)
- 本研究の国際会議での報告 / p133 (0071.jp2)
- 謝辞 / p134 (0072.jp2)
