Si及びSiO[2]基板上の半導体結晶成長とデバイス応用に関する研究 Si オヨビ SiO[2] キバンジョウ ノ ハンドウタイ ケッショウ セイチョウ ト デバイス オウヨウ ニカンスル ケンキュウ

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著者

    • 大町, 督郎 オオマチ, ヨシロウ

書誌事項

タイトル

Si及びSiO[2]基板上の半導体結晶成長とデバイス応用に関する研究

タイトル別名

Si オヨビ SiO[2] キバンジョウ ノ ハンドウタイ ケッショウ セイチョウ ト デバイス オウヨウ ニカンスル ケンキュウ

著者名

大町, 督郎

著者別名

オオマチ, ヨシロウ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第43号

学位授与年月日

1992-09-10

注記・抄録

博士論文

乙第043号 主査:梅野 正義

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1.1 関連分野の研究動向と本研究の動機 / p1 (0004.jp2)
  4. 1.2 Si及びSi0₂基板上のGaAs結晶成長とデバイス応用 / p4 (0006.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成 / p8 (0008.jp2)
  6. 第2章 SiO₂/Si基板上のGaAs/Ge結晶成長とLED応用 / p13 (0010.jp2)
  7. 2.1 はじめに / p13 (0010.jp2)
  8. 2.2 帯域溶融法によるGeの結晶成長装置 / p14 (0011.jp2)
  9. 2.3 基板材料と溶融Geの濡れ性 / p16 (0012.jp2)
  10. 2.4 Geのヘテロラテラルシーディングエピタキシャル成長と成長機構 / p22 (0015.jp2)
  11. 2.5 GaAs発光ダイオードの作製とデバイス特性 / p30 (0019.jp2)
  12. 2.6 まとめ / p36 (0022.jp2)
  13. 第3章 Si基板上のGaAs/Ge結晶成長 / p39 (0023.jp2)
  14. 3.1 はじめに / p39 (0023.jp2)
  15. 3.2 MBE法によるSi基板上のGe結晶成長 / p41 (0024.jp2)
  16. 3.3 Geの評価 / p42 (0025.jp2)
  17. 3.4 Ge上のGaAs単一ドメイン成長 / p47 (0027.jp2)
  18. 3.5 まとめ / p52 (0030.jp2)
  19. 第4章 Si基板上のGaAs結晶成長 / p55 (0031.jp2)
  20. 4.1 はじめに / p55 (0031.jp2)
  21. 4.2 MOCVD装置の概要と結晶成長方法 / p56 (0032.jp2)
  22. 4.3 GaAs-on-Siの反りとクラック / p60 (0034.jp2)
  23. 4.4 熱サイクルアニールによる転位低減 / p63 (0035.jp2)
  24. 4.5 透過電子顕微鏡による転位観察と転位低減機構 / p71 (0039.jp2)
  25. 4.6 まとめ / p80 (0044.jp2)
  26. 第5章 InGaAs/GaAs歪超格子によるGaAs-on-Siの結晶性向上 / p84 (0046.jp2)
  27. 5.1 はじめに / p84 (0046.jp2)
  28. 5.2 InGaAs/GaAs歪超格子中間層による転位低減 / p85 (0046.jp2)
  29. 5.3 透過電子顕微鏡による転位観察と転位低減機構 / p90 (0049.jp2)
  30. 5.4 まとめ / p98 (0053.jp2)
  31. 第6章 GaAs-on-Si太陽電池 / p101 (0054.jp2)
  32. 6.1 はじめに / p101 (0054.jp2)
  33. 6.2 太陽電池の製作方法 / p102 (0055.jp2)
  34. 6.3 太陽電池における中間層の効果 / p102 (0055.jp2)
  35. 6.4 結晶性と太陽電池性能 / p110 (0059.jp2)
  36. 6.5 GaAs-on-Si太陽電池の宇宙環境への適用性 / p115 (0061.jp2)
  37. 6.6 まとめ / p118 (0063.jp2)
  38. 第7章 結論 / p122 (0065.jp2)
  39. 謝辞 / p126 (0067.jp2)
  40. 論文リスト / p127 (0067.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000089941
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000090162
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000254255
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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