レーザー刺激電子励起による化合物半導体表面からの原子放出

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Author

    • 服部, 賢 ハットリ, ケン

Bibliographic Information

Title

レーザー刺激電子励起による化合物半導体表面からの原子放出

Author

服部, 賢

Author(Another name)

ハットリ, ケン

University

名古屋大学

Types of degree

理学博士

Grant ID

甲第2546号

Degree year

1992-02-19

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 1 緒言 / p5 (0006.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p5 (0006.jp2)
  4. 1.2 GaP結晶の物性 / p7 (0007.jp2)
  5. 1.3 バルクの電子励起と格子緩和 / p17 (0012.jp2)
  6. 1.4 電子励起による表面からの原子放出 / p19 (0013.jp2)
  7. 1.5 本研究の概要 / p23 (0015.jp2)
  8. 2 実験装置と実験方法 / p27 (0017.jp2)
  9. 2.1 超高真空チェンバー / p27 (0017.jp2)
  10. 2.2 試料 / p27 (0017.jp2)
  11. 2.3 照射レーザー系 / p27 (0017.jp2)
  12. 2.4 プローブレーザー系 / p28 (0018.jp2)
  13. 2.5 検出系 / p29 (0018.jp2)
  14. 2.6 その他 / p29 (0018.jp2)
  15. 3 欠陥形態と原子放出 / p31 (0019.jp2)
  16. 3.1 照射回数依存性(Y-n相関)に関する実験結果 / p31 (0019.jp2)
  17. 3.2 レーザーフルエンス依存性(Y-φ相関)に関する実験結果 / p33 (0020.jp2)
  18. 3.3 表面欠陥の効果に関する実験結果 / p34 (0021.jp2)
  19. 3.4 原子放出を媒介する欠陥のタイプ / p36 (0022.jp2)
  20. 3.5 A成分とS成分のレーザーフルエンスに対する非線形性 / p38 (0023.jp2)
  21. 3.6 レーザーアブレーションの初期過程 / p39 (0023.jp2)
  22. 3.7 レーザーダメージ表面とArダメージ表面 / p39 (0023.jp2)
  23. 4 励起形態と原子放出 / p41 (0024.jp2)
  24. 4.1 光子エネルギー領域Iでの励起に関する実験結果 / p41 (0024.jp2)
  25. 4.2 光子エネルギー領域IIでの励起に関する実験結果 / p42 (0025.jp2)
  26. 4.3 光子エネルギー領域IIIでの励起に関する実験結果 / p43 (0025.jp2)
  27. 4.4 各励起タイプの特徴 / p44 (0026.jp2)
  28. 4.5 パルス幅依存性に関する実験結果 / p46 (0027.jp2)
  29. 5 原子放出の機構 / p47 (0027.jp2)
  30. 5.1 カスケード励起モデル / p47 (0027.jp2)
  31. 5.2 カスケード励起と非線形性 / p49 (0028.jp2)
  32. 6 結論 / p51 (0029.jp2)
  33. 謝辞 / p59 (0033.jp2)
  34. NON-LINEAR PHOTO-INDUCED SPUTTERING OF GaP FOR PHOTONS OF SUB-BAND-GAP ENERGIES / L115 / (0035.jp2)
  35. Characterization of surface defects by means of laser-induced Ga⁰ emission from GaP surfaces / p7001 (0038.jp2)
  36. LASER-INDUCED SPUTTERING OF Ga ATOMS FROM CLEAN AND LASER-DAMAGED GaP(iii)SUREACES / p213 (0072.jp2)
  37. Studies of Laser Sputtering of GaP by Means of Resonance Ionization Spectroscopy:Response of Clean Solid Surfaces to Photo-excitation / p143 (0075.jp2)
  38. Nonthermal laser sputtering from solid surfaces / p452 (0079.jp2)
  39. Effects of oxygen adsorption on laser-induced sputtering from GaP(110)surfaces / L642 / (0085.jp2)
  40. Temperature dependence of the laser-induced Ga⁰ emission from a GaP(110) surface / L671 / (0088.jp2)
  41. CNDO calculation of energies of Ga atom ejection from defect sites on the GaP(llO) surface / L787 / (0091.jp2)
5access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000090293
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000090514
  • DOI(NDL)
  • NDLBibID
    • 000000254607
  • Source
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

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