超伝導体-半導体結合素子に関する研究

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著者

    • 波頭, 経裕 ハトウ, ツネヒロ

書誌事項

タイトル

超伝導体-半導体結合素子に関する研究

著者名

波頭, 経裕

著者別名

ハトウ, ツネヒロ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第2612号

学位授与年月日

1992-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1-1 超伝導エレクトロニクスの位置づけとその魅力 / p1 (0006.jp2)
  4. 1-2 本研究の歴史的背景と目的 / p6 (0009.jp2)
  5. 1-3 本研究の概要 / p8 (0010.jp2)
  6. 2章 超伝導三端子素子とS-N-S接合 / p11 (0011.jp2)
  7. 2-1 序 / p11 (0011.jp2)
  8. 2-2 超伝導三端子素子の背景と歴史 / p11 (0011.jp2)
  9. 2-3 種々の超伝導三端子素子 / p15 (0013.jp2)
  10. 2-4 S-N-S接合 / p20 (0016.jp2)
  11. 2-5 結言 / p29 (0020.jp2)
  12. 3章 Siを用いたS-N-S接合 / p33 (0022.jp2)
  13. 3-1 序 / p33 (0022.jp2)
  14. 3-2 素子作製の条件の選定 / p33 (0022.jp2)
  15. 3-3 Si基板の特性 / p46 (0029.jp2)
  16. 3-4 FIBを用いたS-N-S接合の作製プロセス / p48 (0030.jp2)
  17. 3-5 測定 / p55 (0033.jp2)
  18. 3-6 結言 / p61 (0036.jp2)
  19. 4章 S-N-S接合に用いる半導体の検討 / p65 (0038.jp2)
  20. 4-1 序 / p65 (0038.jp2)
  21. 4-2 S-N-S接合に適した半導体の電気的特性 / p65 (0038.jp2)
  22. 4-3 結言 / p75 (0043.jp2)
  23. 5章 InSbの薄膜の作製 / p77 (0044.jp2)
  24. 5-1 序 / p77 (0044.jp2)
  25. 5-2 フラッシュ法 / p78 (0045.jp2)
  26. 5-3 薄膜成長条件の選定 / p81 (0046.jp2)
  27. 5-4 結言 / p97 (0054.jp2)
  28. 6章 InSbを用いたS-N-S接合 / p99 (0055.jp2)
  29. 6-1 序 / p99 (0055.jp2)
  30. 6-2 InSbの問題点と新しい素子作製法 / p99 (0055.jp2)
  31. 6-3 Ptを用いたS-N-S接合による接合部作製の検討 / p104 (0058.jp2)
  32. 6-4 InSbを用いた素子作製プロセス / p109 (0060.jp2)
  33. 6-5 特性の評価 / p117 (0064.jp2)
  34. 6-6 結言 / p132 (0072.jp2)
  35. 7章 総括 / p135 (0073.jp2)
  36. 謝辞 / (0076.jp2)
  37. 研究業績 / (0077.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000090359
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000090580
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000254673
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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