MOS反転層における電気伝導機構とピエゾ抵抗効果

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著者

    • 丸山, 徹 マルヤマ, トオル

書誌事項

タイトル

MOS反転層における電気伝導機構とピエゾ抵抗効果

著者名

丸山, 徹

著者別名

マルヤマ, トオル

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第2632号

学位授与年月日

1992-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p4 (0007.jp2)
  3. 1-1 はじめに / p4 (0007.jp2)
  4. 1-2 MOSFET反転層の2次元電子状態と電気伝導機構 / p5 (0008.jp2)
  5. 参考文献 / p9 (0010.jp2)
  6. 第2章 反転層内電子状態及び散乱に関する理論 / p10 (0011.jp2)
  7. 2-1 はじめに / p10 (0011.jp2)
  8. 2-2 反転層内電子に対する近似的解法 / p10 (0011.jp2)
  9. 2-3 自己無撞着な計算法(Hartree法) / p15 (0014.jp2)
  10. 2-4 散乱機構 / p29 (0021.jp2)
  11. 2-5 ピエゾ抵抗効果 / p33 (0023.jp2)
  12. 2-6 散乱緩和時間異方性 / p36 (0024.jp2)
  13. 参考文献 / p41 (0027.jp2)
  14. 第3章 実験方法及び計算方法 / p42 (0028.jp2)
  15. 3-1 はじめに / p42 (0028.jp2)
  16. 3-2 一軸性応力によるピエゾ抵抗効果の実験方法 / p42 (0028.jp2)
  17. 3-3 二軸性応力によるピエゾ抵抗効果の実験方法 / p45 (0030.jp2)
  18. 3-4 自己無撞着な計算を用いた歪による電気伝導率変化の計算 / p49 (0032.jp2)
  19. 参考文献 / p52 (0033.jp2)
  20. 第4章 MOSFET反転層における電気伝導機構 / p53 (0035.jp2)
  21. 4-1 はじめに / p53 (0035.jp2)
  22. 4-2 一軸性応力による電気伝導率の変化 / p54 (0036.jp2)
  23. 4-3 二軸性応力による電気伝導率の変化 / p80 (0049.jp2)
  24. 4-4 4章のまとめ / p84 (0051.jp2)
  25. 参考文献 / p86 (0052.jp2)
  26. 第5章 Si(001)n型MOSFET反転層における[110]方向のピエゾ抵抗効果 / p89 (0054.jp2)
  27. 5-1 はじめに / p89 (0054.jp2)
  28. 5-2 実験結果及び考察 / p90 (0055.jp2)
  29. 5-3 5章のまとめ / p110 (0065.jp2)
  30. 参考文献 / p112 (0066.jp2)
  31. 第6章 せん断歪に起因する伝導谷の非放物線性とMOS反転層[110]方向におけるピエゾ抵抗効果 / p113 (0067.jp2)
  32. 6-1 はじめに / p113 (0067.jp2)
  33. 6-2 実験結果及び考察 / p114 (0068.jp2)
  34. 6-3 6章のまとめ / p145 (0083.jp2)
  35. 参考文献 / p146 (0084.jp2)
  36. 第7章 結論 / p147 (0085.jp2)
  37. 謝辞 / p150 (0087.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000090379
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000090600
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000254693
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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