Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のエピタキシャル成長とその応用

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著者

    • 浅井, 裕充 アサイ, ヒロミツ

書誌事項

タイトル

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のエピタキシャル成長とその応用

著者名

浅井, 裕充

著者別名

アサイ, ヒロミツ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第4094号

学位授与年月日

1992-02-04

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 本研究の歴史的背景 / p2 (0007.jp2)
  5. 1.3 III-V族化合物半導体の特徴 / p9 (0010.jp2)
  6. 1.4 エピタキシャル成長法 / p17 (0014.jp2)
  7. 1.5 本研究の目的と概要 / p21 (0016.jp2)
  8. 参考文献 / p24 (0018.jp2)
  9. 第2章 液相エピタキシャル成長 / p29 (0020.jp2)
  10. 2.1 はじめに / p29 (0020.jp2)
  11. 2.2 液相成長装置 / p32 (0022.jp2)
  12. 2.3 In₁-xGaxPの液相成長 / p36 (0024.jp2)
  13. 2.4 In₁-xGaxP液相成長の面方位依存性 / p45 (0028.jp2)
  14. 2.5 格子不整合による格子変形とバンドギャップの変化 / p56 (0034.jp2)
  15. 2.6 In₁-xGaxP/AlxGa₁-xAs多層成長 / p75 (0043.jp2)
  16. 2.7 In₁-xGaxP/AlxGa₁-xAsDHレーザの作製とその特性 / p79 (0045.jp2)
  17. 2.8 まとめ / p87 (0049.jp2)
  18. 参考文献 / p88 (0050.jp2)
  19. 第3章 有機金属化合物気相エピタキシャル成長 / p92 (0052.jp2)
  20. 3.1 はじめに / p92 (0052.jp2)
  21. 3.2 成長装置 / p95 (0053.jp2)
  22. 3.3 GaAsの有機金属化合物気相成長 / p98 (0055.jp2)
  23. 3.4 横方向成長機構 / p107 (0059.jp2)
  24. 3.5 基板面方位依存性 / p121 (0066.jp2)
  25. 3.6 不純物ドーピング / p129 (0070.jp2)
  26. 3.7 電気的光学的性質 / p145 (0078.jp2)
  27. 3.8 まとめ / p150 (0081.jp2)
  28. 参考文献 / p151 (0081.jp2)
  29. 第4章 有機金属化合物気相成長による選択成長とその応用 / p156 (0084.jp2)
  30. 4.1 はじめに / p156 (0084.jp2)
  31. 4.2 MOCVD法による選択成長 / p160 (0086.jp2)
  32. 4.3 MOCVD法による金属埋め込み成長 / p172 (0092.jp2)
  33. 4.4 金属埋め込み型電界効果トランジスタへの応用 / p183 (0097.jp2)
  34. 4.5 選択成長によるファセット量子細線の作製と低次元電子輸送 / p199 (0105.jp2)
  35. 4.6 まとめ / p214 (0113.jp2)
  36. 参考文献 / p215 (0113.jp2)
  37. 第5章 分子線エピタキシャル成長 / p220 (0116.jp2)
  38. 5.1 はじめに / p220 (0116.jp2)
  39. 5.2 成長装置 / p224 (0118.jp2)
  40. 5.3 In₁-xGaxAs/In₁-xAlxAsの分子線エピタキシャル成長 / p227 (0119.jp2)
  41. 5.4 In₁-xGaxAs/In₁-xAlxAs多重量子井戸のバンド間遷移 / p239 (0125.jp2)
  42. 5.5 不純物ドープされた多重量子井戸のサブバンド間吸収 / p256 (0134.jp2)
  43. 5.6 励起子吸収を利用した多重量子井戸光変調器 / p289 (0150.jp2)
  44. 5.7 まとめ / p298 (0155.jp2)
  45. 参考文献 / p299 (0155.jp2)
  46. 第6章 総括 / p305 (0158.jp2)
  47. 付録 / p311 (0161.jp2)
  48. A 格子変形 / p311 (0161.jp2)
  49. B 軌道-歪演算子の行列計算 / p315 (0163.jp2)
  50. C 量子化レベルの計算 / p320 (0166.jp2)
  51. 謝辞 / p325 (0168.jp2)
  52. 発表論文リスト / p326 (0169.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000090462
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000090683
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000254776
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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