高機能半導体レーザへの多層薄膜構造の応用に関する研究

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著者

    • 野村, 良徳 ノムラ, ヨシノリ

書誌事項

タイトル

高機能半導体レーザへの多層薄膜構造の応用に関する研究

著者名

野村, 良徳

著者別名

ノムラ, ヨシノリ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5765号

学位授与年月日

1992-07-30

注記・抄録

博士論文

10373

博士(工学)

1992-07-30

大阪大学

14401乙第05765号

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 1 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 本研究の対象,背景及び課題 / p2 (0007.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的と意義 / p9 (0010.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成と概要 / p10 (0011.jp2)
  6. 参考文献 / p11 (0011.jp2)
  7. 2 多層薄膜構造における光学的利得及びトンネル過程 / p15 (0013.jp2)
  8. 2.1 緒言 / p15 (0013.jp2)
  9. 2.2 量子井戸の電子状態 / p15 (0013.jp2)
  10. 2.3 量子井戸の光学的利得 / p19 (0015.jp2)
  11. 2.4 トンネル過程 / p24 (0018.jp2)
  12. 2.5 結言 / p32 (0022.jp2)
  13. 参考文献 / p33 (0022.jp2)
  14. 3 分子線エピタキシによる半導体多層薄膜構造の作製 / p35 (0023.jp2)
  15. 3.1 緒言 / p35 (0023.jp2)
  16. 3.2 分子線エピタキシの概要 / p35 (0023.jp2)
  17. 3.3 分子線エピタキシによる高純度[化学式]結晶成長 / p43 (0027.jp2)
  18. 3.4 量子井戸構造の成長と評価 / p53 (0032.jp2)
  19. 3.5 結言 / p60 (0036.jp2)
  20. 参考文献 / p61 (0036.jp2)
  21. 4 量子井戸構造を用いた面発光レーザ / p63 (0037.jp2)
  22. 4.1 緒言 / p63 (0037.jp2)
  23. 4.2 多層薄膜共振器構造の設計 / p64 (0038.jp2)
  24. 4.3 多層薄膜共振器構造の作製 / p68 (0040.jp2)
  25. 4.4 測定 / p70 (0041.jp2)
  26. 4.5 測定結果 / p72 (0042.jp2)
  27. 4.6 考察 / p75 (0043.jp2)
  28. 4.7 結言 / p77 (0044.jp2)
  29. 参考文献 / p79 (0045.jp2)
  30. 5 トンネル過程を利用したピコ秒光パルス発生 / p83 (0047.jp2)
  31. 5.1 緒言 / p83 (0047.jp2)
  32. 5.2 利得スイッチによる光パルス発生の問題点 / p84 (0048.jp2)
  33. 5.3 2重量子井戸における発光再結合確率の電場依存性 / p86 (0049.jp2)
  34. 5.4 実験 / p93 (0052.jp2)
  35. 5.5 光短パルス発生実験結果及び考察 / p95 (0053.jp2)
  36. 5.6 結言 / p101 (0056.jp2)
  37. 参考文献 / p103 (0057.jp2)
  38. 6 結論 / p105 (0058.jp2)
  39. A 材料定数 / p109 (0060.jp2)
  40. 参考文献 / p111 (0061.jp2)
  41. 謝辞 / p112 (0062.jp2)
  42. 著者の発表論文 / p114 (0063.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000090649
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000090870
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000254963
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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