VLSIプロセスにおけるコンタクト界面反応,および耐熱性コンタクト形成方法に関する研究

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著者

    • 小川, 真一 オガワ, シンイチ

書誌事項

タイトル

VLSIプロセスにおけるコンタクト界面反応,および耐熱性コンタクト形成方法に関する研究

著者名

小川, 真一

著者別名

オガワ, シンイチ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5798号

学位授与年月日

1992-09-22

注記・抄録

博士論文

10406

博士(工学)

1992-09-22

大阪大学

14401乙第05798号

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 序 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  5. 1.3 VLSIにおけるコンタクト形成に関する従来の研究の概要 / p2 (0006.jp2)
  6. 1.4 本研究の目的 / p3 (0006.jp2)
  7. 1.5 本研究の経過 / p3 (0006.jp2)
  8. 1.6 論文の構成 / p5 (0007.jp2)
  9. 第2章 断面TEMによるコンタクト界面構造評価 / p7 (0008.jp2)
  10. 2.1 序 / p7 (0008.jp2)
  11. 2.2 評価用断面TEM試料作製方法 / p8 (0009.jp2)
  12. 2.3 2nm径プローブを用いたEDSによる微小領域組成評価 / p10 (0010.jp2)
  13. 2.4 第2章のまとめ / p16 (0013.jp2)
  14. 第3章 高融点系(900℃)プロセスにおけるpoly-Si配線/n⁺Si基板コンタクト / p17 (0013.jp2)
  15. 3.1 序 / p17 (0013.jp2)
  16. 3.2 実験方法 / p18 (0014.jp2)
  17. 3.3 Poly-Si/n⁺Si基板コンタクト界面反応 / p19 (0014.jp2)
  18. 3.4 Poly-Si/n⁺Si基板コンタクト電気特性の界面反応依存性 / p32 (0021.jp2)
  19. 3.5 第3章のまとめ / p35 (0022.jp2)
  20. 第4章 高融点系(900℃)プロセスでのW配線/シリサイド/Si基板コンタクト / p37 (0023.jp2)
  21. 4.1 序 / p37 (0023.jp2)
  22. 4.2 実験方法 / p38 (0024.jp2)
  23. 4.3 モリブデンシリサイド/Si基板コンタクト / p38 (0024.jp2)
  24. 4.4 W/シリサイド/Si基板コンタクト / p40 (0025.jp2)
  25. 4.5 第4章のまとめ / p71 (0040.jp2)
  26. 第5章 アルミ系(500℃)プロセスでのアルミ配線/Ti/Si基板コンタクト / p72 (0041.jp2)
  27. 5.1 序 / p72 (0041.jp2)
  28. 5.2 Ti/n⁺,p⁺Si基板コンタクト作製方法,および評価方法 / p73 (0041.jp2)
  29. 5.3 Ti/Si基板界面反応のHRTEM,2nm径EDSによる評価 / p73 (0041.jp2)
  30. 5.4 Ti/Si基板コンタクトの電気特性の界面反応依存性 / p85 (0047.jp2)
  31. 5.5 コンタクト直下のp-n接合の信頼性のTi/Si界面反応依存性 / p91 (0050.jp2)
  32. 5.6 第5章のまとめ / p101 (0055.jp2)
  33. 第6章 耐熱性コンタクト技術の三次元回路素子への適用 / p103 (0056.jp2)
  34. 6.1 序 / p103 (0056.jp2)
  35. 6.2 Poly Si/n⁺Si基板コンタクト技術を用いた2層CMOSシフトレジスタ / p103 (0056.jp2)
  36. 6.3 シリサイド/Si基板コンタクト技術を用いた3層CMOSフォトセンサー / p105 (0057.jp2)
  37. 6.4 第6章のまとめ / p113 (0061.jp2)
  38. 第7章 総括 / p114 (0062.jp2)
  39. 参考文献 / p116 (0063.jp2)
  40. 本研究に関する発表論文 / p122 (0066.jp2)
  41. 謝辞 / p128 (0069.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000090682
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000090903
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000254996
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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