Single crystal growth of silicon carbide by gas source molecular beam epitaxy ガスソース分子線エピタキシー法によるシリコンカーバイドの単結晶成長

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著者

    • 吉信, 達夫 ヨシノブ, タツオ

書誌事項

タイトル

Single crystal growth of silicon carbide by gas source molecular beam epitaxy

タイトル別名

ガスソース分子線エピタキシー法によるシリコンカーバイドの単結晶成長

著者名

吉信, 達夫

著者別名

ヨシノブ, タツオ

学位授与大学

京都大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第5198号

学位授与年月日

1992-09-24

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. Contents / p5 (0006.jp2)
  3. Abstract / p1 (0004.jp2)
  4. Acknowledgments / p3 (0005.jp2)
  5. Contents / p5 (0006.jp2)
  6. Chapter1.Introduction / p1 (0008.jp2)
  7. 1-1 Background / p1 (0008.jp2)
  8. 1-2 Silicon Carbide / p1 (0008.jp2)
  9. 1-3 Gas Source Molecular Beam Epitaxy / p5 (0010.jp2)
  10. 1-4 Outline / p7 (0011.jp2)
  11. References / p9 (0012.jp2)
  12. Chapter2.Apparatus and Preliminary Experiments / p13 (0014.jp2)
  13. 2-1 Introduction / p13 (0014.jp2)
  14. 2-2 Gas Source MBE Apparatus / p13 (0014.jp2)
  15. 2-3 Decomposition of Source Gas / p16 (0016.jp2)
  16. 2-4 Homoepitaxy of Silicon / p21 (0018.jp2)
  17. 2-5 Summary / p30 (0023.jp2)
  18. References / p31 (0023.jp2)
  19. Chapter3.Homoepitaxy of 3C-SiC / p33 (0024.jp2)
  20. 3-1 Introduction / p33 (0024.jp2)
  21. 3-2 Simultaneous Source Gas Supply / p35 (0025.jp2)
  22. 3-3 Alternate Source Gas Supply / p38 (0027.jp2)
  23. 3-4 Summary / p43 (0029.jp2)
  24. References / p45 (0030.jp2)
  25. Chapter4.Atomic Level Control in Crystal Growth of 3C-SiC / p47 (0031.jp2)
  26. 4-1 Introduction / p47 (0031.jp2)
  27. 4-2 Surface Superstructures on 3C-SiC(001) / p48 (0032.jp2)
  28. 4-3 Analysis of Surface Reconstruction / p56 (0036.jp2)
  29. 4-4 Approach for Atomic Layer Epitaxy of SiC / p61 (0038.jp2)
  30. 4-5 Summary / p63 (0039.jp2)
  31. References / p64 (0040.jp2)
  32. Chapter5.Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si / p65 (0040.jp2)
  33. 5-1 Introduction / p65 (0040.jp2)
  34. 5-2 Carbonization of Si Surface / p66 (0041.jp2)
  35. 5-3 3C-SiC Growth on Carbonized Layers / p88 (0052.jp2)
  36. 5-4 Summary / p93 (0054.jp2)
  37. References / p95 (0055.jp2)
  38. Chapter6.Lattice-Matched Epitaxy of 3C-SiC on 6H-SiC / p97 (0056.jp2)
  39. 6-1 Introduction / p97 (0056.jp2)
  40. 6-2 Growth on 6H-SiC(000T) Substrate / p99 (0057.jp2)
  41. 6-3 Growth on 6H-SiC(01l4) Substrate / p104 (0060.jp2)
  42. 6-4 Summary / p110 (0063.jp2)
  43. References / p112 (0064.jp2)
  44. Chapter7.Conclusion / p115 (0065.jp2)
  45. 7-1 Conclusion / p115 (0065.jp2)
  46. 7-2 For the Future Work / p118 (0067.jp2)
  47. List of Publications / (0068.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000090706
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000090927
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000255020
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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