有機金属気相成長法を用いたZnSeエピタキシャル成長層の化学量論的組成とその物性に関する研究

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著者

    • 森本, 恵造 モリモト, ケイゾウ

書誌事項

タイトル

有機金属気相成長法を用いたZnSeエピタキシャル成長層の化学量論的組成とその物性に関する研究

著者名

森本, 恵造

著者別名

モリモト, ケイゾウ

学位授与大学

京都大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第7949号

学位授与年月日

1992-09-24

注記・抄録

博士論文

本文データは平成22年度国立国会図書館の学位論文(博士)のデジタル化実施により作成された画像ファイルを基にpdf変換したものである

新制・論文博士

乙第7949号

論工博第2621号

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. 論文の目次 / p4 (0006.jp2)
  3. 内容梗概 / p1 (0004.jp2)
  4. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  5. 第2章 ZnSeの有機金属気相成長法 / p7 (0010.jp2)
  6. 2-1 緒言 / p7 (0010.jp2)
  7. 2-2 本実験で用いた MOVPE 装置の特徴 / p8 (0010.jp2)
  8. 2-3 原料の純度 / p11 (0012.jp2)
  9. 2-4 GaAs 基板処理法 / p11 (0012.jp2)
  10. 2-5 結晶性と表面モホロジー / p12 (0012.jp2)
  11. 2-6 成長速度と原料流量比 / p14 (0013.jp2)
  12. 2-7 一回の成長実験で得られる原料流量比依存性 / p15 (0014.jp2)
  13. 2-8 結語 / p17 (0015.jp2)
  14. 第3章 原料流量比が物性に及ぼす影響 / p18 (0015.jp2)
  15. 3-1 緒言 / p18 (0015.jp2)
  16. 3-2 電気的特性の原料流量比依存性 / p19 (0016.jp2)
  17. 3-3 発光特性の原料流量比依存性 / p22 (0017.jp2)
  18. 3-4 窒素ガスによる窒素添加効率の原料流量比依存性 / p25 (0019.jp2)
  19. 3-5 電気的特性の解析 / p29 (0021.jp2)
  20. 3-6 結語 / p33 (0023.jp2)
  21. 第4章 原料流量比が組成に及ぼす影響 / p34 (0023.jp2)
  22. 4-1 緒言 / p34 (0023.jp2)
  23. 4-2 無添加 ZnSe 層中のドナー、アクセプター濃度の原料流量比依存性 / p34 (0023.jp2)
  24. 4-3 無添加 ZnSe 層中のドナー、アクセプター種の起源 / p34 (0023.jp2)
  25. 4-4 化学量論的組成からのずれと電気的特性、発光特性 / p37 (0025.jp2)
  26. 4-5 結語 / p38 (0025.jp2)
  27. 第5章 成長温度が組成に及ぼす影響 / p40 (0026.jp2)
  28. 5-1 緒言 / p40 (0026.jp2)
  29. 5-2 電気的特性、発光特性の基板温度依存性 / p40 (0026.jp2)
  30. 5-3 高い基板温度での電気的特性、発光特性の原料流量比依存性 / p42 (0027.jp2)
  31. 5-4 成長温度が組成と不純物添加効率に及ぼす影響 / p44 (0028.jp2)
  32. 5-5 結語 / p46 (0029.jp2)
  33. 第6章 V族の水素化物が ZnSe エピタキシャル成長層に及ぼす影響 / p47 (0030.jp2)
  34. 6-1 緒言 / p47 (0030.jp2)
  35. 6-2 電気的特性、発光特性に及ぼす影響 / p48 (0030.jp2)
  36. 6-3 成長機構と炭素汚染 / p53 (0033.jp2)
  37. 6-4 結語 / p56 (0034.jp2)
  38. 第7章 ヘテロ接合素子への応用とその特性 / p58 (0035.jp2)
  39. 7-1 緒言 / p58 (0035.jp2)
  40. 7-2 p-n ヘテロ接合素子 / p58 (0035.jp2)
  41. 7-3 n-i-n ヘテロ接合素子 / p61 (0037.jp2)
  42. 7-4 結語 / p63 (0038.jp2)
  43. 第8章 結論 / p65 (0039.jp2)
  44. 謝辞 / p70 (0041.jp2)
  45. 参考文献 / p71 (0042.jp2)
  46. 発表論文 / p78 (0045.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000090725
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000090946
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000255039
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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