格子不整合系Ⅲ-Ⅴ族半導体層の有機金属気相エピタキシァル成長に関する研究

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著者

    • 早藤, 紀生 ハヤフジ, ノリオ

書誌事項

タイトル

格子不整合系Ⅲ-Ⅴ族半導体層の有機金属気相エピタキシァル成長に関する研究

著者名

早藤, 紀生

著者別名

ハヤフジ, ノリオ

学位授与大学

京都大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第7956号

学位授与年月日

1992-09-24

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. 目次 / p1 (0004.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  4. 参考文献 [第1章] / p4 (0007.jp2)
  5. 第2章 有機金属気相エピタキシァル成長 / p5 (0007.jp2)
  6. 2.1 まえがき / p5 (0007.jp2)
  7. 2.2 成長装置および成長方法 / p6 (0008.jp2)
  8. 2.3 均一性および結晶性 / p9 (0009.jp2)
  9. 2.4 デバイスへの応用 / p22 (0016.jp2)
  10. 2.5 考察 / p28 (0019.jp2)
  11. 2.6 まとめ / p28 (0019.jp2)
  12. 参考文献[第2章] / p32 (0021.jp2)
  13. 第3章 Ge基板上へのGaAsエピタキシァル成長 / p34 (0022.jp2)
  14. 3.1 まえがき / p34 (0022.jp2)
  15. 3.2 成長条件および結晶性 / p34 (0022.jp2)
  16. 3.3 太陽電池への応用 / p40 (0025.jp2)
  17. 3.4 考察 / p44 (0027.jp2)
  18. 3.5 まとめ / p46 (0028.jp2)
  19. 参考文献[第3章] / p46 (0028.jp2)
  20. 第4章 Si基板上へのGaAsエピタキシァル成長 / p47 (0028.jp2)
  21. 4.1 まえがき / p47 (0028.jp2)
  22. 4.2 成長条件および結晶性 / p47 (0028.jp2)
  23. 4.3 転位密度低減方法の検討 / p56 (0033.jp2)
  24. 4.4 機械的強度の評価 / p82 (0046.jp2)
  25. 4.5 発光ダイオードヘの応用 / p93 (0051.jp2)
  26. 4.6 考察 / p101 (0055.jp2)
  27. 4.7 まとめ / p110 (0060.jp2)
  28. 参考文献[第4章] / p111 (0060.jp2)
  29. 第5章 GaAs基板上へのInPエピタキシァル成長 / p114 (0062.jp2)
  30. 5.1 まえがき / p114 (0062.jp2)
  31. 5.2 成長条件および結晶性 / p114 (0062.jp2)
  32. 5.3 転位密度低減方法の検討 / p116 (0063.jp2)
  33. 5.4 レーザダイオードヘの応用 / p126 (0068.jp2)
  34. 5.5 考察 / p126 (0068.jp2)
  35. 5.6 まとめ / p130 (0070.jp2)
  36. 参考文献[第5章] / p130 (0070.jp2)
  37. 第6章 結論 / p132 (0071.jp2)
  38. 謝辞 / p136 (0073.jp2)
  39. 研究業績目録 / p137 (0073.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000090732
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000090953
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000255046
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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