Electrical properties of FeSi[2] thin films deposited by rf sputtering スパッター法により作成したFeSi[2]薄膜の電気的性質に関する研究

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著者

    • 駒林, 正士 コマバヤシ, マサシ

書誌事項

タイトル

Electrical properties of FeSi[2] thin films deposited by rf sputtering

タイトル別名

スパッター法により作成したFeSi[2]薄膜の電気的性質に関する研究

著者名

駒林, 正士

著者別名

コマバヤシ, マサシ

学位授与大学

埼玉大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第4号

学位授与年月日

1992-03-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Contents / (0005.jp2)
  2. Chapter1.Preface / p1 (0008.jp2)
  3. §1.Purpose of this study / p1 (0008.jp2)
  4. §2.Review of the semiconducting FeSi₂ / p1 (0008.jp2)
  5. Chapter2.Experimental Procedure / p7 (0014.jp2)
  6. §1.Preparation of films / p7 (0014.jp2)
  7. 1.1 Depos1tion of fi1ms / p7 (0014.jp2)
  8. 1.2 Annealing of films / p7 (0014.jp2)
  9. §2.Measurement method / p8 (0015.jp2)
  10. 2.1 Seebeck coefficient and electrical resistivity at room temperature / p8 (0015.jp2)
  11. 2.2 Tempeturedependence of electrica1 resistivity / p8 (0015.jp2)
  12. 2.3 X-ray diffraction analysis (XRD) / p9 (0016.jp2)
  13. 2.4 Electron probe microanalysis (EPMA) / p9 (0016.jp2)
  14. 2.5 0bservation by optical microscorp / p9 (0016.jp2)
  15. Chapter3.The Composition Dependence of the Electrical Properties of [化学式] and [化学式] (M=Co,Cr) Thin Films / p13 (0020.jp2)
  16. §1.Introduction / p13 (0020.jp2)
  17. §2.Composition dependence of [化学式] thin films / p13 (0020.jp2)
  18. 2.1 Experimental / p13 (0020.jp2)
  19. 2.2 Results and discussion / p13 (0020.jp2)
  20. 2.3 Conclusion / p17 (0024.jp2)
  21. §3. Composition dependence of [化学式] (M=Cr,Co) thin films / p26 (0033.jp2)
  22. 3.1 Experimental / p26 (0033.jp2)
  23. 3.2 Results and discussio / p27 (0034.jp2)
  24. 3.3 Conclusion / p33 (0040.jp2)
  25. Chapter4.Annealing Effects on the Electrical Properties FeSi₂ and Fe₀.₉₅M₀.₀₅Si₂ Thon Films(M=Co,Cr) / p42 (0049.jp2)
  26. §1.Introduction / p42 (0049.jp2)
  27. §2.Annealing effects on the electrical properties of FeSi₂ thin film / p42 (0049.jp2)
  28. 2.1 Experimental / p42 (0049.jp2)
  29. 2.2 Results and discussion / p43 (0050.jp2)
  30. 2.3 Conclusion / p46 (0053.jp2)
  31. §3.Annealing effects on the electrical properties of Fe₀.₉₅M₀.₀₅Si₂ thin films / p52 (0059.jp2)
  32. 3.1 Experimental / p52 (0059.jp2)
  33. 3.2 Results and discussion / p53 (0060.jp2)
  34. 3.3 Conclusion / p57 (0064.jp2)
  35. Chapter5.Electrical Resistivity of FeSi₂ and Fe₀.₉₅M₀.₀₅Si₂ Thin Films (M=Co,Cr) at Low Temperature / p66 (0073.jp2)
  36. §1.Introdustion / p66 (0073.jp2)
  37. §2.Experimental / p66 (0073.jp2)
  38. §3.Results and discussion / p67 (0074.jp2)
  39. §4.Conclusion / p71 (0078.jp2)
  40. Chapter6.Effects of Some Additives on Thermoelectric Properties of FeSi₂ Thin Films / p76 (0083.jp2)
  41. §1.Introduction / p76 (0083.jp2)
  42. §2.Experimental / p76 (0083.jp2)
  43. §3.Results and discussion / p76 (0083.jp2)
  44. 3.1 p-type FeSi₂ thin films / p76 (0083.jp2)
  45. 3.2 n-type FeSi₂ thin films / p78 (0085.jp2)
  46. §4.Conclusion / p80 (0087.jp2)
  47. Chapter7.Summary / p89 (0096.jp2)
  48. Acknowledgement / p92 (0099.jp2)
  49. Reference / p93 (0100.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000092012
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000092237
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000256326
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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