イオンビーム支援法による半導体加工プロセスに関する研究

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著者

    • 高, 永範 コウ, ヨンボン

書誌事項

タイトル

イオンビーム支援法による半導体加工プロセスに関する研究

著者名

高, 永範

著者別名

コウ, ヨンボン

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第4619号

学位授与年月日

1992-09-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2 研究の目的 / p3 (0006.jp2)
  5. 1-3 本論文の構成 / p5 (0007.jp2)
  6. 第2章 低エネルギーイオンビーム支援法によるタングステン薄膜の形成 / p8 (0009.jp2)
  7. 2-1 はじめに / p8 (0009.jp2)
  8. 2-2 実験 / p10 (0010.jp2)
  9. 2-3 タングステン薄膜形成の確認 / p14 (0012.jp2)
  10. 2-4 阻止能 / p18 (0014.jp2)
  11. 2-5 堆積速度の各種パラメータ依存性 / p21 (0015.jp2)
  12. 2-6 堆積膜の組成および抵抗率の各種パラメータ依存性 / p32 (0021.jp2)
  13. 2-7 まとめ / p41 (0025.jp2)
  14. 第3章 低エネルギーイオンビーム支援法によるタングステン薄膜形成過程と損傷の評価 / p42 (0026.jp2)
  15. 3-1 はじめに / p42 (0026.jp2)
  16. 3-2 分解反応の評価 / p42 (0026.jp2)
  17. 3-3 照射損傷の評価 / p50 (0030.jp2)
  18. 3-4 まとめ / p59 (0034.jp2)
  19. 第4章 集束イオンビームによるSOG膜の改質およびマスクレス加工 / p60 (0035.jp2)
  20. 4-1 はじめに / p60 (0035.jp2)
  21. 4-2 SOGの性質および実験方法 / p61 (0035.jp2)
  22. 4-3 イオン照射によるSOG膜の改質 / p67 (0038.jp2)
  23. 4-4 感度曲線 / p80 (0045.jp2)
  24. 4-5 FIB照射によるSOG膜のマスクレス加工 / p82 (0046.jp2)
  25. 4-6 まとめ / p84 (0047.jp2)
  26. 第5章 結論 / p86 (0048.jp2)
  27. 謝辞 / p88 (0049.jp2)
  28. 参考文献 / p89 (0049.jp2)
  29. 研究業績 / p94 (0052.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000092046
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000092271
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000256360
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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