Si反転層内における電子移動度に関する研究 Siハンテンソウ ナイ ニ オケル デンシ イドウド ニ カンスル ケンキュウ

この論文をさがす

著者

    • 正木, 和夫 マサキ, カズオ

書誌事項

タイトル

Si反転層内における電子移動度に関する研究

タイトル別名

Siハンテンソウ ナイ ニ オケル デンシ イドウド ニ カンスル ケンキュウ

著者名

正木, 和夫

著者別名

マサキ, カズオ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第5819号

学位授与年月日

1992-10-23

注記・抄録

博士論文

10440

博士(工学)

1992-10-23

大阪大学

14401乙第05819号

目次

  1. 目次 / (0002.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0003.jp2)
  3. 1-1 はじめに / p1 (0003.jp2)
  4. 1-2 歴史的背景 / p2 (0004.jp2)
  5. 1-3 本研究の目的 / p4 (0005.jp2)
  6. 1-4 本論文の構成 / p5 (0005.jp2)
  7. 第2章 二次元電子ガス状態の自己無撞着解法 / p11 (0008.jp2)
  8. 2-1 緒言 / p11 (0008.jp2)
  9. 2-2 有効質量方程式 / p12 (0009.jp2)
  10. 2-3 有効質量と縮重度 / p13 (0009.jp2)
  11. 2-4 二次元電子ガス状態の自己無撞着な解法 / p18 (0012.jp2)
  12. 2-5 近似的解法 / p23 (0014.jp2)
  13. 2-6 自己無撞着解法による計算結果と検討 / p26 (0016.jp2)
  14. 2-7 結言 / p41 (0023.jp2)
  15. 第3章 二次元電子ガス状態の散乱過程に関する理論的考察 / p43 (0024.jp2)
  16. 3-1 緒言 / p43 (0024.jp2)
  17. 3-2 ボルツマンの輸送方程式 / p44 (0025.jp2)
  18. 3-3 衝突項と緩和時間 / p46 (0026.jp2)
  19. 3-4 二次元電子ガスの移動度 / p50 (0028.jp2)
  20. 3-5 電子とフォノンの相互作用 / p53 (0029.jp2)
  21. 3-6 二次元電子ガスと音響フォノンの相互作用 / p59 (0032.jp2)
  22. 3-7 二次元電子ガスとインターバレーフォノンの相互作用 / p63 (0034.jp2)
  23. 3-8 表面粗さ散乱 / p66 (0036.jp2)
  24. 3-9 イオン化不純物散乱 / p68 (0037.jp2)
  25. 3-10 イオン化不純物による遮蔽効果 / p71 (0038.jp2)
  26. 3-11 結言 / p75 (0040.jp2)
  27. 第4章 Si反転層内移動度 / p77 (0041.jp2)
  28. 4-1 緒言 / p77 (0041.jp2)
  29. 4-2 実験と結果 / p79 (0042.jp2)
  30. 4-3 検討 / p84 (0045.jp2)
  31. 4-4 結言 / p86 (0046.jp2)
  32. 第5章 Si反転層内における電子移動度の理論的解析 / p88 (0047.jp2)
  33. 5-1 緒言 / p88 (0047.jp2)
  34. 5-2 二次元電子ガス移動度の解析式の導出 / p89 (0047.jp2)
  35. 5-3 垂直電界依存性 / p96 (0051.jp2)
  36. 5-4 温度依存性 / p102 (0054.jp2)
  37. 5-5 縮退を考慮した二次元電子ガス移動度 / p107 (0056.jp2)
  38. 5-6 結言 / p110 (0058.jp2)
  39. 第6章 Si反転層内における移動度のユニバーサル性 / p113 (0059.jp2)
  40. 6-1 緒言 / p113 (0059.jp2)
  41. 6-2 基板バイアス電圧と基板不純物濃度に関するユニバーサル性 / p114 (0060.jp2)
  42. 6-3 基板バイアス電圧と基板不純物濃度に関するユニバーサル性の検討 / p121 (0063.jp2)
  43. 6-4 結言 / p130 (0068.jp2)
  44. 第7章 結論 / p132 (0069.jp2)
  45. 謝辞 / p134 (0070.jp2)
  46. 研究業績 / p135 (0070.jp2)
0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000092065
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000092290
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000256379
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ