真空紫外レーザーによるレーザープロセシングに関する基礎研究

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著者

    • 大向, 雅人 オオムカイ, マサト

書誌事項

タイトル

真空紫外レーザーによるレーザープロセシングに関する基礎研究

著者名

大向, 雅人

著者別名

オオムカイ, マサト

学位授与大学

大阪府立大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第331号

学位授与年月日

1993-03-31

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 レーザープロセシングの背景 / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1 レーザーの発明と進歩 / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2 レーザーの応用 / p3 (0006.jp2)
  5. 1-3 真空紫外レーザーによるレーザープロセシング / p4 (0007.jp2)
  6. 参考文献 / p6 (0008.jp2)
  7. 第2章 希ガスエキシマレーザー装置 / p8 (0009.jp2)
  8. 2-1 エキシマレーザー / p8 (0009.jp2)
  9. 2-2 希ガスエキシマレーザー装置用電子ビーム装置 / p9 (0009.jp2)
  10. 2-3 光共振器 / p12 (0011.jp2)
  11. 2-4 希ガスエキシマレーザーの特性 / p14 (0012.jp2)
  12. 参考文献 / p17 (0013.jp2)
  13. 第3章 光電子分光法とラマン分光法 / p18 (0014.jp2)
  14. 3-1 光電子分光法 / p18 (0014.jp2)
  15. 3-2 ラマン分光法 / p23 (0016.jp2)
  16. 参考文献 / p34 (0022.jp2)
  17. 第4章 SiCの真空紫外レーザー照射効果 / p36 (0023.jp2)
  18. 4-1 SiCの材料特性 / p36 (0023.jp2)
  19. 4-2 グラファイト基板上のSiC / p37 (0023.jp2)
  20. 4-3 SiC焼結体基板上の多結晶SiC / p44 (0027.jp2)
  21. 4-4 検討 / p57 (0033.jp2)
  22. 4-5 まとめ / p62 (0036.jp2)
  23. 参考文献 / p63 (0036.jp2)
  24. 第5章 シリコン窒化膜の真空紫外レーザー照射効果 / p65 (0037.jp2)
  25. 5-1 Si₃N₄の材料特性 / p65 (0037.jp2)
  26. 5-2 Si₃N₄の作製とレーザー照射 / p66 (0038.jp2)
  27. 5-3 アルゴン工キシマレーザー照射 / p67 (0038.jp2)
  28. 5-4 クリプトンエキシマレーザー照射 / p77 (0043.jp2)
  29. 5-5 検討 / p83 (0046.jp2)
  30. 参考文献 / p88 (0049.jp2)
  31. 第6章 結論 / p89 (0049.jp2)
  32. 謝辞 / p93 (0051.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000092867
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000093093
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000257181
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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