スピン偏極電子源に用いる歪ませたGaAsフォトカソードの開発研究

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著者

    • 青柳, 秀樹 アオヤギ, ヒデキ

書誌事項

タイトル

スピン偏極電子源に用いる歪ませたGaAsフォトカソードの開発研究

著者名

青柳, 秀樹

著者別名

アオヤギ, ヒデキ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

甲第2681号

学位授与年月日

1992-10-22

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 第2章 GaAs型電子源の原理 / p4 (0008.jp2)
  4. 2-1 電子スピンの偏極機構(Optical Orientation) / p4 (0008.jp2)
  5. 2-2 偏極電子の引き出し機構(NEA技術) / p5 (0009.jp2)
  6. 第3章 50%を越える偏極度が期待できるフォトカソード / p6 (0010.jp2)
  7. 3-1 半導体超格子 / p6 (0010.jp2)
  8. 3-2 カルコパイライト結晶 / p7 (0011.jp2)
  9. 3-3 歪ませたGaAs / p7 (0011.jp2)
  10. 第4章 歪ませたGaAs試料の設計 / p10 (0014.jp2)
  11. 4-1 歪層の選択 / p10 (0014.jp2)
  12. 4-2 基板層の選択 / p10 (0014.jp2)
  13. 4-3 歪みとエネルギー分離 / p11 (0015.jp2)
  14. 4-4 コヒーレント長 / p12 (0016.jp2)
  15. 第5章 偏極度測定装置 / p13 (0017.jp2)
  16. 5-1 電子銃本体 / p13 (0017.jp2)
  17. 5-2 レーザー光学系 / p14 (0018.jp2)
  18. 5-3 偏極電子ビーム移送系 / p14 (0018.jp2)
  19. 5-4 偏極度測定系 / p15 (0019.jp2)
  20. 第6章 測定結果と考察 / p21 (0025.jp2)
  21. 6-1 最初に50%を突破した試料の測定 / p23 (0027.jp2)
  22. 6-2 Strained GaAs 試料に関する系統的研究 / p25 (0029.jp2)
  23. 6-3 レーザー出力に対する最大偏極度と量子効率の関係 / p29 (0033.jp2)
  24. 6-4 NEA状態に対する偏極度の考察 / p30 (0034.jp2)
  25. 第7章 結論 / p32 (0036.jp2)
  26. 謝辞 / p34 (0038.jp2)
  27. AppendixA h.h.と1.h.の遷移確率と分離 / p35 (0039.jp2)
  28. A-1 遷移確率 / p35 (0039.jp2)
  29. A-2 半導体超格子での分離 / p37 (0041.jp2)
  30. A-3 歪ませたGaAsでの分離 / p38 (0042.jp2)
  31. AppendixB フォトカソード試料の選択 / p39 (0043.jp2)
  32. B-1はじめに / p39 (0043.jp2)
  33. B-2 歪層の選択の条件 / p39 (0043.jp2)
  34. B-3 基板層の選択の条件 / p40 (0044.jp2)
  35. B-4 基板層に用いる素材の具体的な候補 / p41 (0045.jp2)
  36. AppendixC PLとX線回折によるxの決定 / p43 (0047.jp2)
  37. AppendixD X線回折による歪み量の測定 / p46 (0050.jp2)
  38. 参考文献 / p49 (0053.jp2)
  39. 表の説明 / p51 (0055.jp2)
  40. 図の説明 / p52 (0056.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000092945
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000093171
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000257259
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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