スピン偏極電子源に用いる歪ませたGaAsフォトカソードの開発研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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スピン偏極電子源に用いる歪ませたGaAsフォトカソードの開発研究
- 著者名
-
青柳, 秀樹
- 著者別名
-
アオヤギ, ヒデキ
- 学位授与大学
-
名古屋大学
- 取得学位
-
博士 (理学)
- 学位授与番号
-
甲第2681号
- 学位授与年月日
-
1992-10-22
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 第2章 GaAs型電子源の原理 / p4 (0008.jp2)
- 2-1 電子スピンの偏極機構(Optical Orientation) / p4 (0008.jp2)
- 2-2 偏極電子の引き出し機構(NEA技術) / p5 (0009.jp2)
- 第3章 50%を越える偏極度が期待できるフォトカソード / p6 (0010.jp2)
- 3-1 半導体超格子 / p6 (0010.jp2)
- 3-2 カルコパイライト結晶 / p7 (0011.jp2)
- 3-3 歪ませたGaAs / p7 (0011.jp2)
- 第4章 歪ませたGaAs試料の設計 / p10 (0014.jp2)
- 4-1 歪層の選択 / p10 (0014.jp2)
- 4-2 基板層の選択 / p10 (0014.jp2)
- 4-3 歪みとエネルギー分離 / p11 (0015.jp2)
- 4-4 コヒーレント長 / p12 (0016.jp2)
- 第5章 偏極度測定装置 / p13 (0017.jp2)
- 5-1 電子銃本体 / p13 (0017.jp2)
- 5-2 レーザー光学系 / p14 (0018.jp2)
- 5-3 偏極電子ビーム移送系 / p14 (0018.jp2)
- 5-4 偏極度測定系 / p15 (0019.jp2)
- 第6章 測定結果と考察 / p21 (0025.jp2)
- 6-1 最初に50%を突破した試料の測定 / p23 (0027.jp2)
- 6-2 Strained GaAs 試料に関する系統的研究 / p25 (0029.jp2)
- 6-3 レーザー出力に対する最大偏極度と量子効率の関係 / p29 (0033.jp2)
- 6-4 NEA状態に対する偏極度の考察 / p30 (0034.jp2)
- 第7章 結論 / p32 (0036.jp2)
- 謝辞 / p34 (0038.jp2)
- AppendixA h.h.と1.h.の遷移確率と分離 / p35 (0039.jp2)
- A-1 遷移確率 / p35 (0039.jp2)
- A-2 半導体超格子での分離 / p37 (0041.jp2)
- A-3 歪ませたGaAsでの分離 / p38 (0042.jp2)
- AppendixB フォトカソード試料の選択 / p39 (0043.jp2)
- B-1はじめに / p39 (0043.jp2)
- B-2 歪層の選択の条件 / p39 (0043.jp2)
- B-3 基板層の選択の条件 / p40 (0044.jp2)
- B-4 基板層に用いる素材の具体的な候補 / p41 (0045.jp2)
- AppendixC PLとX線回折によるxの決定 / p43 (0047.jp2)
- AppendixD X線回折による歪み量の測定 / p46 (0050.jp2)
- 参考文献 / p49 (0053.jp2)
- 表の説明 / p51 (0055.jp2)
- 図の説明 / p52 (0056.jp2)