アモルファスシリコンゲルマニウム膜の高品質化と太陽電池への応用に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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アモルファスシリコンゲルマニウム膜の高品質化と太陽電池への応用に関する研究
- 著者名
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白玖, 久雄
- 著者別名
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ハク, ヒサオ
- 学位授与大学
-
豊橋技術科学大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第44号
- 学位授与年月日
-
1993-03-10
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文要旨 / p1 (0003.jp2)
- 目次 / p8 (0007.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0008.jp2)
- 1-1 緒言 / p1 (0008.jp2)
- 1-2 a-Si太陽電池の電力用応用における課題 / p2 (0009.jp2)
- 1-3 本研究の目的 / p5 (0010.jp2)
- 参考文献 / p7 (0011.jp2)
- 第2章 従来のa-SiGe膜における課題 / p9 (0012.jp2)
- 2-1 緒言 / p9 (0012.jp2)
- 2-2 従来法によるa-SiGe:H膜の検討 / p10 (0013.jp2)
- 2-3 a-SiGe:H:F膜の形成及び検討 / p12 (0014.jp2)
- 2-4 総括 / p38 (0027.jp2)
- 参考文献 / p40 (0028.jp2)
- 第3章 a-SiGe:H膜の低不純物化形成による高品質化の検討 / p42 (0029.jp2)
- 3-1 緒言 / p42 (0029.jp2)
- 3-2 形成方法及び膜中不純物 / p42 (0029.jp2)
- 3-3 スーパーチャンバで形成したa-SiGe:H膜の特性 / p47 (0031.jp2)
- 3-4 総括 / p53 (0034.jp2)
- 参考文献 / p54 (0035.jp2)
- 第4章 a-SiGe:H膜の基板表面反応の制御による高品質化の検討 / p55 (0035.jp2)
- 4-1 緒言 / p55 (0035.jp2)
- 4-2 a-Ge:H膜における基板表面反応の制御の検討 / p56 (0036.jp2)
- 4-3 イオンを活用した基板表面反応の制御の検討 / p75 (0045.jp2)
- 4-4 総括 / p96 (0056.jp2)
- 参考文献 / p97 (0056.jp2)
- 第5章 スーパーチャンバによる高効率3層積層型太陽電池の作製 / p99 (0057.jp2)
- 5-1 緒言 / p99 (0057.jp2)
- 5-2 セル化を主眼としたa-SiGe:H膜の低不純物化形成 / p99 (0057.jp2)
- 5-3 高品質a-SiGe:H膜を用いた太陽電池の作製 / p109 (0062.jp2)
- 5-4 総括 / p111 (0063.jp2)
- 参考文献 / p114 (0065.jp2)
- 第6章 結論 / p115 (0065.jp2)
- 謝辞 / p119 (0067.jp2)
- 発表論文リスト / p120 (0068.jp2)