導波路形第2高調波発生光デバイスに関する研究 ドウハロケイ ダイ2 コウチョウハ ハッセイ ヒカリ デバイス ニ カンスル ケンキュウ

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Author

    • 藤村, 昌寿 フジムラ, マサトシ

Bibliographic Information

Title

導波路形第2高調波発生光デバイスに関する研究

Other Title

ドウハロケイ ダイ2 コウチョウハ ハッセイ ヒカリ デバイス ニ カンスル ケンキュウ

Author

藤村, 昌寿

Author(Another name)

フジムラ, マサトシ

University

大阪大学

Types of degree

博士 (工学)

Grant ID

甲第4805号

Degree year

1993-03-25

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 / p4 (0005.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 SHGデバイス研究の現状と問題点 / p2 (0007.jp2)
  5. 1.3 本研究の目的と課題 / p7 (0009.jp2)
  6. 1.4 本論文の構成 / p8 (0010.jp2)
  7. 第2章 SiO₂装荷誘起LiNb0₃分極反転 / p10 (0011.jp2)
  8. 2.1 緒言 / p10 (0011.jp2)
  9. 2.2 分極反転クレーデインクの作製 / p10 (0011.jp2)
  10. 2.3 熱処理条件の検討 / p13 (0012.jp2)
  11. 2.4 微細周期クレーデインク作製の試み / p13 (0012.jp2)
  12. 2.5 直流スパッタによる分極反転構造の確認 / p15 (0013.jp2)
  13. 2.6 分極反転メカニズムの検討 / p16 (0014.jp2)
  14. 2.7 結言 / p17 (0014.jp2)
  15. 第3章 電子ビーム走査LiNb0₃分極反転 / p18 (0015.jp2)
  16. 3.1 緒言 / p18 (0015.jp2)
  17. 3.2 分極反転クレーデインクの作製 / p18 (0015.jp2)
  18. 3.3 電子ビーム走査条件依存性 / p25 (0018.jp2)
  19. 3.4 長相互作用長の実現 / p27 (0019.jp2)
  20. 3.5 裏面非研磨結晶での分極反転 / p28 (0020.jp2)
  21. 3.6 分極反転メカニズムの検討 / p29 (0020.jp2)
  22. 3.7 結言 / p31 (0021.jp2)
  23. 第4章 デバイス性能の理論解析とデバイス設計 / p33 (0022.jp2)
  24. 4.1 緒言 / p33 (0022.jp2)
  25. 4.2 SHG変換効率の理論式 / p33 (0022.jp2)
  26. 4.3 導波路サイズ依存性 / p41 (0026.jp2)
  27. 4.4 分極反転構造依存性 / p41 (0026.jp2)
  28. 4.5 クラッド層装荷の影響 / p50 (0031.jp2)
  29. 4.6 相互作用長依存性 / p51 (0031.jp2)
  30. 4.7 デバイス設計 / p53 (0032.jp2)
  31. 4.8 結言 / p57 (0034.jp2)
  32. 第5章 緑色光発生用デバイスの作製と評価 / p59 (0035.jp2)
  33. 5.1 緒言 / p59 (0035.jp2)
  34. 5.2 作製 / p59 (0035.jp2)
  35. 5.3 プロトン交換による分極反転クレーデインク構造の消滅 / p61 (0036.jp2)
  36. 5.4 SiO₂装荷誘起分極反転を用いたデバイスでの第2高調波発生実験 / p62 (0037.jp2)
  37. 5.5 電子ビーム走査分極反転を用いたデバイスでの第2高調波発生実験 / p66 (0039.jp2)
  38. 5.6 結言 / p68 (0040.jp2)
  39. 第6章 青色光発生用デバイスの作製と評価 / p70 (0041.jp2)
  40. 6.1 緒言 / p70 (0041.jp2)
  41. 6.2 2次擬似位相整合第2高調波発生 / p71 (0041.jp2)
  42. 6.3 1次擬似位相整合第2高調波発生 / p72 (0042.jp2)
  43. 6.4 結言 / p77 (0044.jp2)
  44. 第7章 半導体レーザ光の第2高調波発生用デバイスの作製と評価 / p79 (0045.jp2)
  45. 7.1 緒言 / p79 (0045.jp2)
  46. 7.2 Ti:Al₂O₃レーザによる予備実験 / p79 (0045.jp2)
  47. 7.3 半導体レーザ光の第2高調波発生実験 / p79 (0045.jp2)
  48. 7.4 結言 / p83 (0047.jp2)
  49. 第8章 結論 / p85 (0048.jp2)
  50. 謝辞 / p89 (0050.jp2)
  51. 参考文献 / p90 (0051.jp2)
  52. 関連発表論文 / p98 (0055.jp2)
2access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000093711
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000093937
  • DOI(NDL)
  • Text Lang
    • jpn
  • NDLBibID
    • 000000258025
  • Source
    • Institutional Repository
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections
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