アモルファスSiCの基礎物性とそのオプトエレクトロニック機能デバイスへの応用

この論文をさがす

著者

    • 吉見, 雅士 ヨシミ, マサシ

書誌事項

タイトル

アモルファスSiCの基礎物性とそのオプトエレクトロニック機能デバイスへの応用

著者名

吉見, 雅士

著者別名

ヨシミ, マサシ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第4821号

学位授与年月日

1993-03-25

注記・抄録

博士論文

10770

博士(工学)

1993-03-25

大阪大学

14401甲第04821号

目次

  1. 目次 / p3 (0005.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1-1 本研究の背景 / p1 (0007.jp2)
  4. 1-2 本研究の目的 / p5 (0009.jp2)
  5. 参考文献 / p10 (0012.jp2)
  6. 第2章 a-SiC:Hの作製と基礎物性 / p11 (0012.jp2)
  7. 2-1 はじめに / p11 (0012.jp2)
  8. 2-2 rfプラズマCVD法によるa-SiC:Hの作製 / p11 (0012.jp2)
  9. 2-3 a-SiC:Hの電気的および光学的特性 / p17 (0015.jp2)
  10. 2-4 a-C:Hの作製およびその構造 / p27 (0020.jp2)
  11. 2-5 a-C:Hの光学的特性 / p33 (0023.jp2)
  12. 2-6 まとめ / p39 (0026.jp2)
  13. 参考文献 / p41 (0027.jp2)
  14. 第3章 a-C:H青色発光薄膜真性EL素子 / p44 (0029.jp2)
  15. 3-1 はじめに / p44 (0029.jp2)
  16. 3-2 a-C:H薄膜EL素子の作製と構造 / p45 (0029.jp2)
  17. 3-3 a-SiN:H/a-C:H/a-SiN:H二重絶縁EL素子の基礎特性 / p47 (0030.jp2)
  18. 3-4 a-SiC:H/a-C:H多層構造の適用によるEL特性の改善 / p59 (0036.jp2)
  19. 3-5 まとめ / p65 (0039.jp2)
  20. 参考文献 / p67 (0040.jp2)
  21. 第4章 a-SiN:H/a-Si:Hヘテロ接合を有するHigh-Gainフォトダイオード / p70 (0042.jp2)
  22. 4-1 はじめに / p70 (0042.jp2)
  23. 4-2 フォトダイオードの作製と構造 / p71 (0042.jp2)
  24. 4-3 High-Gainフォトダイオードの光電流特性 / p75 (0044.jp2)
  25. 4-4 光電流増倍機構の考察とそのモデル / p85 (0049.jp2)
  26. 4-5 まとめ / p90 (0052.jp2)
  27. 参考文献 / p91 (0052.jp2)
  28. 第5章 a-SiC:H発光/受光素子を組み合わせた光複合デバイス / p93 (0053.jp2)
  29. 5-1 はじめに / p93 (0053.jp2)
  30. 5-2 a-SiC:H LED/High-Gain受光素子DC駆動型光複合機能デバイス / p95 (0054.jp2)
  31. 5-3 a-C:H EL/High-Gain受光素子AC駆動型光複合機能デバイス / p103 (0058.jp2)
  32. 5-4 まとめ / p108 (0061.jp2)
  33. 参考文献 / p111 (0062.jp2)
  34. 第6章 結論 / p112 (0063.jp2)
  35. 謝辞 / p115 (0064.jp2)
  36. 研究業績目録 / p117 (0065.jp2)
  37. 付録 / p123 (0068.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000093727
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000093953
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000258041
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ