プロセス用ECRプラズマの特性とその応用に関する研究 プロセスヨウ ECR プラズマ ノ トクセイ ト ソノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ

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著者

    • 白井, 光雲 シライ, コウウン

書誌事項

タイトル

プロセス用ECRプラズマの特性とその応用に関する研究

タイトル別名

プロセスヨウ ECR プラズマ ノ トクセイ ト ソノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ

著者名

白井, 光雲

著者別名

シライ, コウウン

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第5867号

学位授与年月日

1992-12-28

注記・抄録

博士論文

10493

博士(工学)

1992-12-28

大阪大学

14401乙第05867号

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第一章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. §1.1 プラズマプロセスの歴史的発展とその意義 / p1 (0005.jp2)
  4. §1.2 ECRプラズマプロセス / p3 (0006.jp2)
  5. §1.3 プラズマプロセスの研究の現状 / p4 (0007.jp2)
  6. §1.4 本研究における問題のとらえ方 / p7 (0008.jp2)
  7. §1.5 本研究の目的及び構成 / p9 (0009.jp2)
  8. 第二章 プラズマパラメータとプラズマ炉に対する予備的考察 / p12 (0011.jp2)
  9. §2.1 プラズマ中の荷電粒子のエネルギー分布 / p12 (0011.jp2)
  10. §2.2 プラズマ電位と電子温度 / p12 (0011.jp2)
  11. §2.3 プラズマ反応炉のタイプによる分類 / p15 (0012.jp2)
  12. 第三章 実験装置と方法 / p19 (0014.jp2)
  13. §3.1 ECRプラズマ装置 / p19 (0014.jp2)
  14. §3.1.1 マイクロ波領域における放電 / p19 (0014.jp2)
  15. §3.1.2 プロセス用ECRプラズマ装置の磁場の役割 / p23 (0016.jp2)
  16. §3.1.3 装置の詳細と堆積の手順 / p26 (0018.jp2)
  17. §3.2 プローブによるプラズマ診断 / p27 (0018.jp2)
  18. §3.2.1 プローブの作製 / p27 (0018.jp2)
  19. §3.2.2 プローブによる測定 / p28 (0019.jp2)
  20. §3.3 薄膜の堆積、及び堆積膜の評価 / p28 (0019.jp2)
  21. §3.4 装置と動作条件のまとめ / p29 (0019.jp2)
  22. 第四章 プラズマ特性 / p30 (0020.jp2)
  23. §4.1 プローブ特性の解析 / p30 (0020.jp2)
  24. §4.1.1 プローブによるプラズマパラメータの測定 / p30 (0020.jp2)
  25. §4.1.2 プローブ特性の検討(磁場の影響を中心に) / p36 (0023.jp2)
  26. §4.1.3 プローブ特性のまとめ / p41 (0025.jp2)
  27. §4.2 プローブによるプラズマ診断の結果 / p41 (0025.jp2)
  28. §4.2.1 プラズマパラメータの動作条件依存性 / p41 (0025.jp2)
  29. §4.2.2 プラズマに関係した特性長及び特性時間 / p46 (0028.jp2)
  30. §4.2.3 プローブ測定結果のまとめ / p48 (0029.jp2)
  31. §4.3 電子温度 / p48 (0029.jp2)
  32. §4.3.1 電子温度のガス圧力依存性 / p48 (0029.jp2)
  33. §4.3.2 発散磁場の電子温度に対する影響 / p53 (0031.jp2)
  34. §4.3.3 他のECRプラズマにおける電子温度との比較 / p55 (0032.jp2)
  35. §4.3.4 電子温度のまとめ / p60 (0035.jp2)
  36. §4.4 プラズマ電位 / p61 (0035.jp2)
  37. §4.4.1 プラズマ電位と電子温度 / p61 (0035.jp2)
  38. §4.4.2 プラズマ電位の意義 / p64 (0037.jp2)
  39. §4.4.3 プラズマ電位のまとめ / p65 (0037.jp2)
  40. §4.4 第四章のまとめ / p66 (0038.jp2)
  41. 第五章 プラズマ中のイオンエネルギーの制御 / p67 (0038.jp2)
  42. §5.1 基板バイアス実験 / p68 (0039.jp2)
  43. §5.1.1 基板バイアスの配置及び実験手順 / p68 (0039.jp2)
  44. §5.1.2 基板バイアスの基礎理論 / p70 (0040.jp2)
  45. §5.2 基板バイアスのプラズマに対する影響 / p73 (0041.jp2)
  46. §5.2.1 実験結果 / p73 (0041.jp2)
  47. §5.2.2 プラズマ電位に関する考察 / p75 (0042.jp2)
  48. §5.2.3 プラズマ電位に関するまとめ / p79 (0044.jp2)
  49. §5.3 基板バイアスの薄膜堆積過程に対する影響 / p79 (0044.jp2)
  50. §5.3.1 実験結果 / p79 (0044.jp2)
  51. §5.3.2 プラズマ堆積の支配種 / p81 (0045.jp2)
  52. §5.3.3 イオンの間接的寄与 / p86 (0048.jp2)
  53. §5.3.4 他の提案されている荷電粒子の役割 / p89 (0049.jp2)
  54. §5.3.5 正バイアスの効果について / p92 (0051.jp2)
  55. §5.3.6 堆積過程への影響のまとめ / p95 (0052.jp2)
  56. §5.4 第五章のまとめ / p96 (0053.jp2)
  57. 第六章 ECRプラズマ堆積の気体輸送論 / p97 (0053.jp2)
  58. §6.1 ラジカルによる表面反応の特徴 / p97 (0053.jp2)
  59. §6.2 低圧動作の効果 / p101 (0055.jp2)
  60. §6.3 第六章のまとめ / p104 (0057.jp2)
  61. 第七章 ECRプラズマのアモルファス半導体薄膜作製への応用 / p106 (0058.jp2)
  62. §7.1 膜組成の柔軟性と格子振動 / p108 (0059.jp2)
  63. §7.2 イオン衝撃の効果 / p111 (0060.jp2)
  64. §7.3 水素の取り込みとその効果 / p114 (0062.jp2)
  65. §7.4 第七章のまとめ / p118 (0064.jp2)
  66. 第八章 結論 / p120 (0065.jp2)
  67. 謝辞 / p122 (0066.jp2)
  68. 参考文献 / p124 (0067.jp2)
  69. 業績 / p138 (0074.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000093758
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000093984
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000258072
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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