走査型トンネル顕微鏡を用いた半導体デバイス・プロセス評価の研究

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著者

    • 谷本, 正文 タニモト, マサフミ

書誌事項

タイトル

走査型トンネル顕微鏡を用いた半導体デバイス・プロセス評価の研究

著者名

谷本, 正文

著者別名

タニモト, マサフミ

学位授与大学

慶應義塾大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第2556号

学位授与年月日

1993-01-20

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. 目次 / p1 (0007.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0009.jp2)
  4. 1.1 半導体表面微小領域評価技術の置かれた位置 / p1 (0009.jp2)
  5. 1.2 走査型トンネル顕微鏡の研究経過 / p2 (0010.jp2)
  6. 1.3 本研究の目的 / p4 (0011.jp2)
  7. 第2章 走査型トンネル顕微鏡 / p6 (0012.jp2)
  8. 2.1 はじめに / p6 (0012.jp2)
  9. 2.2 STMの基本原理 / p6 (0012.jp2)
  10. 2.3 STM装置の概要および技術的問題点 / p12 (0015.jp2)
  11. 2.4 半導体デバイス・プロセス評価への応用における課題とその解決策 / p20 (0019.jp2)
  12. 2.5 まとめ / p32 (0025.jp2)
  13. 第3章 半導体表面の大気中STM観察 / p36 (0027.jp2)
  14. 3.1 はじめに / p36 (0027.jp2)
  15. 3.2 実験方法 / p37 (0028.jp2)
  16. 3.3 実験結果 / p39 (0029.jp2)
  17. 3.4 まとめ / p59 (0039.jp2)
  18. 第4章 トンネルスペクトロスコピー法によるデバイス評価 / p63 (0041.jp2)
  19. 4.1 はじめに / p63 (0041.jp2)
  20. 4.2 TS/CITS装置 / p64 (0042.jp2)
  21. 4.3 InGaAsP/InPダブルヘテロ構造の観察 / p71 (0045.jp2)
  22. 4.4 極薄SiO₂/Si構造の評価 / p78 (0049.jp2)
  23. 4.5 まとめ / p92 (0056.jp2)
  24. 第5章 不純物濃度分布測定 / p96 (0058.jp2)
  25. 5.1 まえがき / p96 (0058.jp2)
  26. 5.2 InP中の不純物濃度分布測定 / p97 (0059.jp2)
  27. 5.3 Si中の不純物濃度分布測定 / p103 (0062.jp2)
  28. 5.4 まとめ / p127 (0074.jp2)
  29. 第6章 pn接合容量の2次元解析 / p131 (0076.jp2)
  30. 6.1 はじめに / p131 (0076.jp2)
  31. 6.2 STMを用いた不純物濃度分布測定法 / p132 (0077.jp2)
  32. 6.3 測定および解析方法 / p132 (0077.jp2)
  33. 6.4 結果 / p134 (0078.jp2)
  34. 6.5 回路特性評価への応用 / p139 (0080.jp2)
  35. 6.6 まとめ / p141 (0081.jp2)
  36. 第7章 MBE成長したGaAs(001)表面のSTM観察 / p144 (0083.jp2)
  37. 7.1 はじめに / p144 (0083.jp2)
  38. 7.2 MBE-S(R)EM/STM複合装置 / p145 (0084.jp2)
  39. 7.3 試料作成とSTM観察 / p148 (0085.jp2)
  40. 7.4 測定結果と考察 / p154 (0088.jp2)
  41. 7.5 まとめ / p160 (0091.jp2)
  42. 第8章 結論 / p164 (0093.jp2)
  43. 謝辞 / p168 (0095.jp2)
  44. 本研究に関する発表論文および口頭発表 / p169 (0096.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000093921
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000094147
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000258235
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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