Si(100)/K,H修飾表面の物性と反応性
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著者
書誌事項
- タイトル
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Si(100)/K,H修飾表面の物性と反応性
- 著者名
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高木, 紀明
- 著者別名
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タカギ, ノリアキ
- 学位授与大学
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京都大学
- 取得学位
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博士 (理学)
- 学位授与番号
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甲第5279号
- 学位授与年月日
-
1993-03-23
注記・抄録
博士論文
本文データは平成22年度国立国会図書館の学位論文(博士)のデジタル化実施により作成された画像ファイルを基にpdf変換したものである
目次
- 論文目録 / (0001.jp2)
- 目次 / (0004.jp2)
- 第I章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.緒言 / p1 (0005.jp2)
- 2.本研究に関連した従来の研究 / p5 (0007.jp2)
- 3.研究方針 / p15 (0012.jp2)
- 第II章 実験 / p18 (0013.jp2)
- 1.超高真空装置 / p18 (0013.jp2)
- 2.測定手段 / p20 (0014.jp2)
- 3.試料調整 / p27 (0018.jp2)
- 第III章 結果と考察 / p30 (0019.jp2)
- 1.Si(100)-K表面の反応性 / p30 (0019.jp2)
- 2.Si(100)(2×1)-H表面とKとの相互作用 / p63 (0036.jp2)
- Appendix 1 EELSの励起断面積 / p89 (0049.jp2)
- Appendix 2 バンドベンディング / p92 (0050.jp2)
- 謝辞 / p94 (0051.jp2)
- 引用文献 / p95 (0052.jp2)
- Existence of two adsorbed states for K on the Si(100)(2×1)surface:A thermal desorption study / p1868 (0064.jp2)
- Chemical reactivity of the Si(100)(2×1)-K surface:electron energy loss spectroscopy and thermal desorption studies / p498 (0067.jp2)