UHF帯GaAs電界効果トランジスタのデバイス設計と製作プロセスの研究

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著者

    • 萩尾, 正博 ハギオ, マサヒロ

書誌事項

タイトル

UHF帯GaAs電界効果トランジスタのデバイス設計と製作プロセスの研究

著者名

萩尾, 正博

著者別名

ハギオ, マサヒロ

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第8146号

学位授与年月日

1993-03-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. 内容梗概 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.序論 / p6 (0008.jp2)
  4. 参考文献 / p14 (0012.jp2)
  5. 2.ショットキーゲート電極の形成 / p16 (0013.jp2)
  6. 2-1 序 / p16 (0013.jp2)
  7. 2-2 ショットキー障壁ゲートの形成 / p18 (0014.jp2)
  8. 2-3 電極反応と表面酸化 / p40 (0025.jp2)
  9. 2-4 セルフアライン技術 / p55 (0032.jp2)
  10. 参考文献 / p73 (0041.jp2)
  11. 3.耐静電破壊用保護ダイオードの集積化 / p75 (0042.jp2)
  12. 3-1 序 / p75 (0042.jp2)
  13. 3-2 静電破壊のシミュレーション / p77 (0043.jp2)
  14. 3-3 保護ダイオードの構造 / p84 (0047.jp2)
  15. 参考文献 / p88 (0049.jp2)
  16. 4.UHF帯における低雑音増幅GaAsMESFETの設計と応用 / p89 (0049.jp2)
  17. 4-1 序 / p89 (0049.jp2)
  18. 4-2 受信用低雑音増幅GaAsMESFETの設計 / p90 (0050.jp2)
  19. 4-3 UHF帯テレビジョン受信チューナヘの応用 / p110 (0060.jp2)
  20. 参考文献 / p132 (0071.jp2)
  21. 5.UHF帯におけるパワーGaAsMESFETの設計と応用 / p133 (0071.jp2)
  22. 5-1 序 / p133 (0071.jp2)
  23. 5-2 送信用高効率パワーGaAsMESFETの設計 / p134 (0072.jp2)
  24. 5-3 携帯電話への応用 / p146 (0078.jp2)
  25. 参考文献 / p160 (0085.jp2)
  26. 6.結論 / p161 (0085.jp2)
  27. 付録 / p163 (0086.jp2)
  28. 著者発表文献 / p172 (0091.jp2)
  29. 謝辞 / p173 (0091.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000094252
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000094478
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000258566
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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