Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体(I[n]P,I[n]Sb,G[a]A[s])におけるMIS構造の研究

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著者

    • 鳥居, 泰伸 トリイ, ヤスノブ

書誌事項

タイトル

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体(I[n]P,I[n]Sb,G[a]A[s])におけるMIS構造の研究

著者名

鳥居, 泰伸

著者別名

トリイ, ヤスノブ

学位授与大学

豊橋技術科学大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第75号

学位授与年月日

1993-03-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 和文要旨 / (0003.jp2)
  2. 目次 / (0008.jp2)
  3. 1 序論 / p1 (0012.jp2)
  4. 2 試料作製 / p9 (0020.jp2)
  5. 2.1 InP MIS構造 / p9 (0020.jp2)
  6. 2.2 InSb MIS構造 / p15 (0026.jp2)
  7. 2.3 GaAs MIS構造 / p18 (0029.jp2)
  8. 3 InP MIS界面の特性 / p22 (0033.jp2)
  9. 3.1 はじめに / p22 (0033.jp2)
  10. 3.2 InPxOy-InP界面の特性 / p23 (0034.jp2)
  11. 3.3 AlInxPyOz-InP界面の特性 / p45 (0056.jp2)
  12. 3.4 まとめ / p61 (0072.jp2)
  13. 4 InSb MIS界面の特性 / p63 (0074.jp2)
  14. 4.1 はじめに / p63 (0074.jp2)
  15. 4.2 SiInxPyOz-InSb界面の特性 / p64 (0075.jp2)
  16. 4.3 まとめ / p80 (0091.jp2)
  17. 5 GaAs MIS界面の特性 / p81 (0092.jp2)
  18. 5.1 はじめに / p81 (0092.jp2)
  19. 5.2 SiOw/GaAsxPyOz-GaAs界面の特性 / p82 (0093.jp2)
  20. 5.3 まとめ / p100 (0111.jp2)
  21. 6 結論 / p102 (0113.jp2)
  22. 謝辞 / p106 (0117.jp2)
  23. 参考文献 / p107 (0118.jp2)
  24. 付録 界面準位アドミタンスの測定用フィルタ / p110 (0121.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000094689
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000094915
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000259003
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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