MBE法によるp型ZnSe薄膜の成長および青色発光素子応用に関する研究

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著者

    • 松本, 繁之 マツモト, シゲユキ

書誌事項

タイトル

MBE法によるp型ZnSe薄膜の成長および青色発光素子応用に関する研究

著者名

松本, 繁之

著者別名

マツモト, シゲユキ

学位授与大学

千葉大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第990号

学位授与年月日

1993-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 第2章 II-VI族化合物半導体 / p4 (0010.jp2)
  4. 2.1 はじめに / p4 (0010.jp2)
  5. 2.2 II-VI族化合物半導体の物性 / p4 (0010.jp2)
  6. 2.3 II-VI族化合物半導体の問題点 / p6 (0012.jp2)
  7. 2.4 ZnSeの物性 / p8 (0014.jp2)
  8. 参考文献 / p10 (0016.jp2)
  9. 第3章 MBE法によるZnSe膜の成長 / p11 (0017.jp2)
  10. 3.1 はじめに / p11 (0017.jp2)
  11. 3.2 ZnSe膜の成長法および成長装置 / p12 (0018.jp2)
  12. 3.3 MBE成長ZnSe膜の結晶性および光学的特性の評価 / p16 (0022.jp2)
  13. 3.4 まとめ / p18 (0024.jp2)
  14. 参考文献 / p19 (0025.jp2)
  15. 第4章 ZnSe成長初期層に対するGaAs表面の塩酸煮沸処理の効果 / p20 (0026.jp2)
  16. 4.1 はじめに / p20 (0026.jp2)
  17. 4.2 塩酸煮沸処理の手順 / p21 (0027.jp2)
  18. 4.3 塩酸処理を施したGaAs基板の特性 / p21 (0027.jp2)
  19. 4.4 ZnSe薄膜層の形成 / p24 (0030.jp2)
  20. 4.5 まとめ / p29 (0035.jp2)
  21. 参考文献 / p30 (0036.jp2)
  22. 第5章 水素とともにクラッキングしたMO原料によるZnSe膜のMOMBE成長 / p31 (0037.jp2)
  23. 5.1 はじめに / p31 (0037.jp2)
  24. 5.2 MOMBE法の特徴 / p32 (0038.jp2)
  25. 5.3 水素とともにクラッキングしたMO原料によるZnSe膜のMOMBE成長 / p33 (0039.jp2)
  26. 5.4 まとめ / p39 (0045.jp2)
  27. 参考文献 / p40 (0046.jp2)
  28. 第6章 熱および光エネルギーを利用したZnSeへの窒素ドーピング / p41 (0047.jp2)
  29. 6.1 はじめに / p41 (0047.jp2)
  30. 6.2 熱エネルギーを利用したZnSeへの窒素ドーピング / p42 (0048.jp2)
  31. 6.3 光エネルギーを利用したZnSeへの窒素ドーピング / p48 (0054.jp2)
  32. 6.4 まとめ / p55 (0061.jp2)
  33. 参考文献 / p57 (0063.jp2)
  34. 第7章 プラズマ励起窒素を用いたZnSeへのプレーナ・ドーピング / p58 (0064.jp2)
  35. 7.1 はじめに / p58 (0064.jp2)
  36. 7.2 プラズマ励起窒素を用いたZnSeへの窒素ドーピング / p59 (0065.jp2)
  37. 7.3 プラズマ励起窒素を用いたZnSeへのプレーナ・ドーピング / p63 (0069.jp2)
  38. 7.4 まとめ / p71 (0077.jp2)
  39. 参考文献 / p72 (0078.jp2)
  40. 第8章 MBE法によるZnCdSe,ZnSSe混晶膜の成長 / p74 (0080.jp2)
  41. 8.1 はじめに / p74 (0080.jp2)
  42. 8.2 ZnCdSe混晶膜のMBE成長 / p75 (0081.jp2)
  43. 8.3 ZnSSe混晶膜のMBE成長 / p82 (0088.jp2)
  44. 8.4 まとめ / p84 (0090.jp2)
  45. 参考文献 / p86 (0092.jp2)
  46. 第9章 ZnSeのpn接合およびレーザ・ダイオード構造の作製 / p87 (0093.jp2)
  47. 9.1 はじめに / p87 (0093.jp2)
  48. 9.2 塩素ドーピングによるZnSeのn型伝導制御 / p87 (0093.jp2)
  49. 9.3 GaAsエピ膜上へのZnSeのMBE成長 / p91 (0097.jp2)
  50. 9.4 pn接合および量子井戸構造の作製および評価 / p95 (0101.jp2)
  51. 9.5 まとめ / p99 (0105.jp2)
  52. 参考文献 / p100 (0106.jp2)
  53. 第10章 結論 / p101 (0107.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000094856
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000095082
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000259170
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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