マイクロ電子ビームを用いた表面構造解析装置の開発とIn吸着Si(111)表面の研究

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著者

    • 中村, 夏雄 ナカムラ, ナツオ

書誌事項

タイトル

マイクロ電子ビームを用いた表面構造解析装置の開発とIn吸着Si(111)表面の研究

著者名

中村, 夏雄

著者別名

ナカムラ, ナツオ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

甲第4699号

学位授与年月日

1993-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 緒言 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 マイクロ電子ビームを用いた表面構造解析装置の必要性 / p3 (0007.jp2)
  5. 1.3 In吸着Si(111)表面の概略 / p8 (0012.jp2)
  6. 1.4 本研究の目的 / p15 (0019.jp2)
  7. 第2章 オージェ電子回折法による表面構造解析 / p16 (0020.jp2)
  8. 2.1 オージェ電子回折の概要 / p16 (0020.jp2)
  9. 2.2 理論的解析方法 / p17 (0021.jp2)
  10. 第3章 装置の開発 / p28 (0032.jp2)
  11. 3.1 装置概略と開発の基本方釧 / p28 (0032.jp2)
  12. 3.2 装置開発の詳細 / p29 (0033.jp2)
  13. 3.3 装置の性能評価 / p49 (0053.jp2)
  14. 3.4 装置開発のまとめ / p56 (0060.jp2)
  15. 第4章 μ-AEDによるSi(111)4×1-In表面の構造解析 / p57 (0061.jp2)
  16. 4.1 実験 / p57 (0061.jp2)
  17. 4.2 構造解析 / p68 (0072.jp2)
  18. 4.3 考察 / p74 (0078.jp2)
  19. 4.4 まとめ / p75 (0079.jp2)
  20. 第5章 GB-MEEDによるSi(111)[数式]×[数式]-In表面の構造解析 / p77 (0081.jp2)
  21. 5.1 GB-MEED法 / p77 (0081.jp2)
  22. 5.2 実験及び解析 / p86 (0090.jp2)
  23. 5.3 まとめ / p101 (0105.jp2)
  24. 第6章 本研究の総括 / p103 (0107.jp2)
  25. 謝辞 / p105 (0109.jp2)
  26. 引用文献 / p106 (0110.jp2)
  27. 参考論文 / (0114.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000095255
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000095481
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000259569
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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