高機能・高速演算MOSLSIの研究

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著者

    • 小谷, 光司 コタニ, コウジ

書誌事項

タイトル

高機能・高速演算MOSLSIの研究

著者名

小谷, 光司

著者別名

コタニ, コウジ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第4826号

学位授与年月日

1993-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1-1 半導体技術の発展 / p1 (0004.jp2)
  4. 1-2 高速演算LSIの実現に向けて / p2 (0004.jp2)
  5. 1-3 高機能LSIの実現に向けて / p3 (0005.jp2)
  6. 1-4 本研究の目的 / p3 (0005.jp2)
  7. 参考文献 / p4 (0005.jp2)
  8. 第2章 自己整合AℓゲートMOSFET / p5 (0006.jp2)
  9. 2-1 はじめに / p5 (0006.jp2)
  10. 2-2 ウルトラクリーンイオン注入技術 / p8 (0007.jp2)
  11. 2-3 極浅ソース・ドレイン接合形成時のゲート電極によるシャドウイング効果 / p12 (0009.jp2)
  12. 2-4 自己整合AℓゲートMOSFETの試作 / p17 (0012.jp2)
  13. 2-5 AℓゲートMOSFETの速度性能評価 / p20 (0013.jp2)
  14. 2-6 まとめ / p27 (0017.jp2)
  15. 参考文献 / p29 (0018.jp2)
  16. 第3章 ゲート酸化膜・シリコン界面微小表面荒れのチャネル移動度に与える影響 / p30 (0018.jp2)
  17. 3-1 はじめに / p30 (0018.jp2)
  18. 3-2 実験 / p31 (0019.jp2)
  19. 3-3 結果および考察 / p31 (0019.jp2)
  20. 3-4 まとめ / p35 (0021.jp2)
  21. 参考文献 / p36 (0021.jp2)
  22. 第4章 イオン注入によるMOSデバイス損傷 / p37 (0022.jp2)
  23. 4-1 はじめに / p37 (0022.jp2)
  24. 4-2 実験方法 / p38 (0022.jp2)
  25. 4-3 イオン注入およびアニールによる素子特性の変化 / p40 (0023.jp2)
  26. 4-4 チャージアップによるデバイス損傷の発生機構 / p43 (0025.jp2)
  27. 4-5 電気的ストレス印加による素子特性の変化 / p44 (0025.jp2)
  28. 4-6 まとめ / p46 (0026.jp2)
  29. 参考文献 / p48 (0027.jp2)
  30. 第5章 ニューロンMOSFETを用いたバイナリ論理回路 / p49 (0028.jp2)
  31. 5-1 はじめに / p49 (0028.jp2)
  32. 5-2 ニューロンMOSFET / p50 (0028.jp2)
  33. 5-3 ニューロンMOSバイナリ論理回路の基本構成 / p52 (0029.jp2)
  34. 5-4 ニューロンMOS論理回路の簡単化 / p57 (0032.jp2)
  35. 5-5 ニューロンMOS論理回路の回路例 / p59 (0033.jp2)
  36. 5-6 ニューロンMOSFETを用いた新しい機能回路 / p66 (0036.jp2)
  37. 5-7 まとめ / p77 (0042.jp2)
  38. 参考文献 / p78 (0042.jp2)
  39. 第6章 ニューロンMOS論理回路の動作特性 / p79 (0043.jp2)
  40. 6-1 はじめに / p79 (0043.jp2)
  41. 6-2 論理回路構成に必要なトランジスタ数の比較 / p79 (0043.jp2)
  42. 6-3 ニューロンMOS論理回路の速度性能 / p84 (0045.jp2)
  43. 6-4 ニューロンMOS論理回路の課題 / p93 (0050.jp2)
  44. 6-5 まとめ / p100 (0053.jp2)
  45. 参考文献 / p101 (0054.jp2)
  46. 第7章 結論 / p102 (0054.jp2)
  47. 謝辞 / p104 (0055.jp2)
  48. 本研究に関する発表 / p105 (0056.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000095382
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000095608
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000259696
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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