飛行時間法による高分解能光電子分光

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著者

    • 直井, 美貴 ナオイ, ヨシタカ

書誌事項

タイトル

飛行時間法による高分解能光電子分光

著者名

直井, 美貴

著者別名

ナオイ, ヨシタカ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第4830号

学位授与年月日

1993-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文要旨 / (0002.jp2)
  2. 目次 / p1 (0003.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  4. 第2章 NEA-GaAs表面 / p5 (0007.jp2)
  5. 2.1.はじめに / p5 (0007.jp2)
  6. 2.2.NEA表面 / p5 (0007.jp2)
  7. 2.3.NEA-GaAsの表面モデル / p11 (0010.jp2)
  8. 2.4.NEA-GaAs表面からの光電子放出モデル / p14 (0011.jp2)
  9. 2.5.まとめ / p24 (0016.jp2)
  10. 第3章 高分解能飛行時間電子エネルギー分析器 / p25 (0017.jp2)
  11. 3.1.はじめに / p25 (0017.jp2)
  12. 3.2.飛行時間電子分光法 / p25 (0017.jp2)
  13. 3.3.高分解能飛行時間電子エネルギー分析システム / p35 (0022.jp2)
  14. 3.4.まとめ / p45 (0027.jp2)
  15. 第4章 NEA-GaAs表面からの光電子分光分析 / p46 (0027.jp2)
  16. 4.1.はじめに / p46 (0027.jp2)
  17. 4.2.実験方法 / p46 (0027.jp2)
  18. 4.3.実験結果 / p49 (0029.jp2)
  19. 4.4.まとめ / p76 (0042.jp2)
  20. 第5章 NEA-GaAs表面からの光電子放出機構 / p77 (0043.jp2)
  21. 5.1.はじめに / p77 (0043.jp2)
  22. 5.2.実験結果の検討 / p77 (0043.jp2)
  23. 5.3.光電子放出機構の検討 / p87 (0048.jp2)
  24. 5.4.NEA-GaAs表面からの光電子放出機構 / p104 (0056.jp2)
  25. 5.5.まとめ / p127 (0068.jp2)
  26. 第6章 NEA-Si表面からの光電子分光分析 / p129 (0069.jp2)
  27. 6.1.はじめに / p129 (0069.jp2)
  28. 6.2.実験方法 / p129 (0069.jp2)
  29. 6.3.実験結果 / p130 (0069.jp2)
  30. 6.4.まとめ / p135 (0072.jp2)
  31. 第7章 NEA-Si表面からの光電子放出機構 / p136 (0072.jp2)
  32. 7.1.はじめに / p136 (0072.jp2)
  33. 7.2.試料印加電圧と電子飛行エネルギーの関係 / p136 (0072.jp2)
  34. 7.3.光電子放出機構の検討 / p136 (0072.jp2)
  35. 7.4.まとめ / p143 (0076.jp2)
  36. 第8章 総括 / p144 (0076.jp2)
  37. 謝辞 / p146 (0077.jp2)
  38. 参考文献 / p147 (0078.jp2)
  39. 研究業績 / p150 (0079.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000095386
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000095612
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000259700
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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