ペンタメトキシタンタルからの高耐食性Ta[2]O[5]薄膜の化学気相析出に関する研究

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著者

    • 安, 春鎬 アン, チュンホ

書誌事項

タイトル

ペンタメトキシタンタルからの高耐食性Ta[2]O[5]薄膜の化学気相析出に関する研究

著者名

安, 春鎬

著者別名

アン, チュンホ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第4856号

学位授与年月日

1993-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 参考文献 / p9 (0009.jp2)
  4. 第2章 実験方法 / p12 (0010.jp2)
  5. 2.1 薄膜の作製 / p12 (0010.jp2)
  6. 2.2 Ta₂0₅薄膜の成長過程 / p15 (0012.jp2)
  7. 2.3 Ta₂0₅薄膜の組織および組成分析 / p21 (0015.jp2)
  8. 2.4 Ta₂0₅薄膜の電気的性質 / p23 (0016.jp2)
  9. 2.5 Ta₂0₅薄膜の化学気相析出機構の解析 / p27 (0018.jp2)
  10. 参考文献 / p35 (0022.jp2)
  11. 第3章 Pt基板上でのTa₂0₅薄膜の成長および溶解過程 / p36 (0022.jp2)
  12. 3.1 緒言 / p36 (0022.jp2)
  13. 3.2 実験結果 / p37 (0023.jp2)
  14. 3.3 PET-0₂系によるTa₂0₅薄膜との比較 / p53 (0031.jp2)
  15. 3.4 結論 / p59 (0034.jp2)
  16. 参考文献 / p60 (0034.jp2)
  17. 第4章 Si(100)基板上でのTa₂0₅薄膜の成長および溶解過程 / p62 (0035.jp2)
  18. 4.1 緒言 / p62 (0035.jp2)
  19. 4.2 実験結果 / p63 (0036.jp2)
  20. 4.3 結論 / p83 (0046.jp2)
  21. 参考文献 / p85 (0047.jp2)
  22. 第5章 Ta₂0₅薄膜の電気的性質 / p87 (0048.jp2)
  23. 5.1 緒言 / p87 (0048.jp2)
  24. 5.2 実験結果 / p87 (0048.jp2)
  25. 5.3 結論 / p98 (0053.jp2)
  26. 参考文献 / p99 (0054.jp2)
  27. 第6章 ペンタメトキシタンタルからのTa₂0₅薄膜の化学気相析出機構 / p100 (0054.jp2)
  28. 6.1 緒言 / p100 (0054.jp2)
  29. 6.2 実験結果 / p100 (0054.jp2)
  30. 6.3 考察 / p114 (0061.jp2)
  31. 6.4 結論 / p129 (0069.jp2)
  32. 参考文献 / p132 (0070.jp2)
  33. 第7章 総括 / p133 (0071.jp2)
  34. 謝辞 / p138 (0073.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000095412
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000095638
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000259726
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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