半導体バイポーラ型デバイスの高性能化に関する研究

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著者

    • 稲庭, 桂造 イナニワ, ケイゾウ

書誌事項

タイトル

半導体バイポーラ型デバイスの高性能化に関する研究

著者名

稲庭, 桂造

著者別名

イナニワ, ケイゾウ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第5951号

学位授与年月日

1993-02-10

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p3 (0005.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p3 (0005.jp2)
  4. 1.2 不純物拡散プロセスの課題 / p5 (0007.jp2)
  5. 1.3 不純物拡散とデバイス特性 / p8 (0010.jp2)
  6. 1.4 本研究の目的 / p16 (0018.jp2)
  7. 第2章 Ge結晶のp形変換とその抑制 / p19 (0021.jp2)
  8. 2.1 緒言 / p19 (0021.jp2)
  9. 2.2 実験方法 / p21 (0023.jp2)
  10. 2.3 実験結果および考察 / p23 (0025.jp2)
  11. 2.4 本章のまとめ / p43 (0045.jp2)
  12. 第3章 Siウェーハの熱処理 / p45 (0047.jp2)
  13. 3.1 緒言 / p45 (0047.jp2)
  14. 3.2 実験方法 / p48 (0050.jp2)
  15. 3.3 実験結果および考察 / p51 (0053.jp2)
  16. 3.4 本章のまとめ / p58 (0060.jp2)
  17. 第4章 熱拡散法によるホウ素ドーピング / p60 (0062.jp2)
  18. 4.1 緒言 / p60 (0062.jp2)
  19. 4.2 実験方法 / p63 (0065.jp2)
  20. 4.3 実験結果および考察 / p67 (0069.jp2)
  21. 4.4 本章のまとめ / p84 (0086.jp2)
  22. 第5章 固相拡散法による燐拡散 / p86 (0088.jp2)
  23. 5.1 緒言 / p86 (0088.jp2)
  24. 5.2 実験方法 / p90 (0092.jp2)
  25. 5.3 実験結果および考察 / p92 (0094.jp2)
  26. 5.4 本章のまとめ / p97 (0099.jp2)
  27. 第6章 均一加熱拡散法とデバイス特性 / p99 (0101.jp2)
  28. 6.1 緒言 / p99 (0101.jp2)
  29. 6.2 実験方法 / p100 (0102.jp2)
  30. 6.3 実験結果および考察 / p101 (0103.jp2)
  31. 6.4 本章のまとめ / p111 (0113.jp2)
  32. 第7章 イオン注入 / p113 (0115.jp2)
  33. 7.1 緒言 / p113 (0115.jp2)
  34. 7.2 実験方法 / p117 (0119.jp2)
  35. 7.3 実験結果および考察 / p119 (0121.jp2)
  36. 7.4 本章のまとめ / p141 (0143.jp2)
  37. 第8章 結論 / p143 (0145.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000095483
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000095709
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000259797
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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