半導体バイポーラ型デバイスの高性能化に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
半導体バイポーラ型デバイスの高性能化に関する研究
- 著者名
-
稲庭, 桂造
- 著者別名
-
イナニワ, ケイゾウ
- 学位授与大学
-
東北大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第5951号
- 学位授与年月日
-
1993-02-10
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p3 (0005.jp2)
- 1.1 はじめに / p3 (0005.jp2)
- 1.2 不純物拡散プロセスの課題 / p5 (0007.jp2)
- 1.3 不純物拡散とデバイス特性 / p8 (0010.jp2)
- 1.4 本研究の目的 / p16 (0018.jp2)
- 第2章 Ge結晶のp形変換とその抑制 / p19 (0021.jp2)
- 2.1 緒言 / p19 (0021.jp2)
- 2.2 実験方法 / p21 (0023.jp2)
- 2.3 実験結果および考察 / p23 (0025.jp2)
- 2.4 本章のまとめ / p43 (0045.jp2)
- 第3章 Siウェーハの熱処理 / p45 (0047.jp2)
- 3.1 緒言 / p45 (0047.jp2)
- 3.2 実験方法 / p48 (0050.jp2)
- 3.3 実験結果および考察 / p51 (0053.jp2)
- 3.4 本章のまとめ / p58 (0060.jp2)
- 第4章 熱拡散法によるホウ素ドーピング / p60 (0062.jp2)
- 4.1 緒言 / p60 (0062.jp2)
- 4.2 実験方法 / p63 (0065.jp2)
- 4.3 実験結果および考察 / p67 (0069.jp2)
- 4.4 本章のまとめ / p84 (0086.jp2)
- 第5章 固相拡散法による燐拡散 / p86 (0088.jp2)
- 5.1 緒言 / p86 (0088.jp2)
- 5.2 実験方法 / p90 (0092.jp2)
- 5.3 実験結果および考察 / p92 (0094.jp2)
- 5.4 本章のまとめ / p97 (0099.jp2)
- 第6章 均一加熱拡散法とデバイス特性 / p99 (0101.jp2)
- 6.1 緒言 / p99 (0101.jp2)
- 6.2 実験方法 / p100 (0102.jp2)
- 6.3 実験結果および考察 / p101 (0103.jp2)
- 6.4 本章のまとめ / p111 (0113.jp2)
- 第7章 イオン注入 / p113 (0115.jp2)
- 7.1 緒言 / p113 (0115.jp2)
- 7.2 実験方法 / p117 (0119.jp2)
- 7.3 実験結果および考察 / p119 (0121.jp2)
- 7.4 本章のまとめ / p141 (0143.jp2)
- 第8章 結論 / p143 (0145.jp2)
