マイクロ波プラズマCVD法によるAl-Si-C-O-N系薄膜の合成に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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マイクロ波プラズマCVD法によるAl-Si-C-O-N系薄膜の合成に関する研究
- 著者名
-
染野, 義博
- 著者別名
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ソメノ, ヨシヒロ
- 学位授与大学
-
東北大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第5962号
- 学位授与年月日
-
1993-02-10
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目次 / p1 (0003.jp2)
- 第I章 緒論 / p1 (0009.jp2)
- I-1 本研究の目的と意義 / p1 (0009.jp2)
- I-2 Al-Si-C-0-N系セラミックスの概要とその応用 / p5 (0013.jp2)
- I-3 Al-Si-C-O-N系薄膜合成の近況とその特性 / p13 (0021.jp2)
- I-4 Al-Si-C-0-N系薄膜の合成における基本的指針 / p19 (0027.jp2)
- 第II章 結晶質A1N薄膜の合成 / p27 (0035.jp2)
- II-1 はじめに / p27 (0035.jp2)
- II-2 実験方法 / p28 (0036.jp2)
- II-3 結晶質A1N薄膜の合成 / p33 (0041.jp2)
- II-4 A1N薄膜合成におけるArガス添加効果 / p56 (0064.jp2)
- II-5 小括 / p72 (0080.jp2)
- 第III章 Al-0-N系薄膜の合成 / p73 (0081.jp2)
- III-1 はじめに / p73 (0081.jp2)
- III-2 実験方法 / p74 (0082.jp2)
- III-3 A1N薄膜への酸素添加結果 / p77 (0085.jp2)
- III-4 小括 / p97 (0105.jp2)
- 第IV章 AI-C-O-N系薄膜の合成 / p99 (0107.jp2)
- IV-1 はじめに / p99 (0107.jp2)
- IV-2 実験方法 / p100 (0108.jp2)
- IV-3 A1N薄膜への炭素､酸素添加結果 / p102 (0110.jp2)
- IV-4 小括 / p116 (0124.jp2)
- 第V章 Al-Si-0-N系薄膜の合成 / p117 (0125.jp2)
- V-1 はじめに / p117 (0125.jp2)
- V-2 実験方法 / p118 (0126.jp2)
- V-3 A1N薄膜への珪素､酸素添加結果 / p121 (0129.jp2)
- V-4 小括 / p137 (0145.jp2)
- 第VI章 Al-Si-C-O-N系薄膜の諸特性 / p139 (0147.jp2)
- VI-1 はじめに / p139 (0147.jp2)
- VI-2 Al-Si-C-0-N系薄膜のマイクロビッカース硬度 / p140 (0148.jp2)
- VI-3 Al-Si-C-O-N系薄膜の大気雰囲気中加熱による表面組織の安定性 / p147 (0155.jp2)
- VI-4 小括 / p167 (0175.jp2)
- 第VII章 総括 / p170 (0178.jp2)
- 参考文献 / p174 (0182.jp2)
- 謝辞 / p181 (0189.jp2)