水素化アモルファスシリコン及び水素化アモルファスシリコンカーバイトの高品質化の研究

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著者

    • 久保井, 收 クボイ, オサム

書誌事項

タイトル

水素化アモルファスシリコン及び水素化アモルファスシリコンカーバイトの高品質化の研究

著者名

久保井, 收

著者別名

クボイ, オサム

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第6064号

学位授与年月日

1993-03-18

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第一章 序論 / p5 (0005.jp2)
  3. 第二章 水素及び重水素の高感度分析法の開発 / p7 (0006.jp2)
  4. 2-1 重イオン加速器を用いたラザフォード前方反跳法による分析法(ERDA法) / p7 (0006.jp2)
  5. 2-2 ¹⁵Nとの核反応による重水素の高感度分析法(NRA法) / p28 (0017.jp2)
  6. 第三章 水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)の高品質化の研究 / p39 (0022.jp2)
  7. 3-1 序 / p39 (0022.jp2)
  8. 3-2 a-Si:H成長温度の影響 / p40 (0023.jp2)
  9. 3-3 シラン(SiH₄)からのa-Si:Hの成長機構 / p52 (0029.jp2)
  10. 3-4 ジシラン(Si₂H₆)からのa-Si:Hの成長機構 / p65 (0035.jp2)
  11. 3-5 アモルファスシリコン太陽電池の特性 / p78 (0042.jp2)
  12. 第四章 水素化アモルファスシリコンカーバイド(a-SiCx:H)の高品質化の研究 / p86 (0046.jp2)
  13. 4-1 a-SiCx:Hの特性と炭素(C)濃度、ボロン(B)濃度、及びリン(P)濃度の関係 / p86 (0046.jp2)
  14. 第五章 結論 / p98 (0052.jp2)
  15. 謝辞 / p102 (0054.jp2)
  16. 本研究に関する論文 / p103 (0054.jp2)
  17. 発表論文 / p104 (0055.jp2)
  18. 参考文献 / p105 (0055.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000095596
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000095822
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000259910
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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