非晶質シリコン系半導体のキャリア輸送と局在準位に関する研究

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著者

    • 秋田, 成司 アキタ, セイジ

書誌事項

タイトル

非晶質シリコン系半導体のキャリア輸送と局在準位に関する研究

著者名

秋田, 成司

著者別名

アキタ, セイジ

学位授与大学

大阪府立大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第729号

学位授与年月日

1993-03-29

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 緒論 / p1 (0005.jp2)
  3. 第2章 高光感度a-SiC:H薄膜の成膜とプラズマ状態 / p6 (0008.jp2)
  4. 2-1 緒言 / p6 (0008.jp2)
  5. 2-2 成膜装置と膜評価法 / p7 (0008.jp2)
  6. 2-3 炭素混合比依存性 / p10 (0010.jp2)
  7. 2-4 原料ガス流量の膜質への影響 / p16 (0013.jp2)
  8. 2-5 高周波電力依存性 / p20 (0015.jp2)
  9. 2-6 SiH₄₋C₂H₂プラズマの気相反応 / p27 (0018.jp2)
  10. 2-7 結言 / p36 (0023.jp2)
  11. 第3章 キャリア輸送特性と浅い局在準位 / p39 (0024.jp2)
  12. 3-1 緒言 / p39 (0024.jp2)
  13. 3-2 Time-of-Flight法と多重捕獲理論 / p40 (0025.jp2)
  14. 3-3 実験 / p47 (0028.jp2)
  15. 3-4 結果と検討 / p49 (0029.jp2)
  16. 3-5 結言 / p60 (0035.jp2)
  17. 第4章 暗減衰過渡分光法による深い局在準位 / p63 (0036.jp2)
  18. 4-1 緒言 / p63 (0036.jp2)
  19. 4-2 測定原理 / p64 (0037.jp2)
  20. 4-3 実験 / p72 (0041.jp2)
  21. 4-4 a-Si:H:F薄膜の放出準位 / p75 (0042.jp2)
  22. 4-5 a-SiC:H薄膜への適用 / p81 (0045.jp2)
  23. 4-6 結言 / p84 (0047.jp2)
  24. 第5章 新電子写真プロセス / p87 (0048.jp2)
  25. 5-1 緒言 / p87 (0048.jp2)
  26. 5-2 新電子写真プロセスの概要 / p89 (0049.jp2)
  27. 5-3 感光体の設計 / p92 (0051.jp2)
  28. 5-4 現像プロセスの解析 / p104 (0057.jp2)
  29. 5-5 小型プリンターへの応用 / p110 (0060.jp2)
  30. 5-6 結言 / p114 (0062.jp2)
  31. 第6章 総括 / p116 (0063.jp2)
  32. 謝辞 / p119 (0064.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000095641
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000095867
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000259955
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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