反応性スパッタ法により作製した遷移金属化合物薄膜に関する研究
Access this Article
Search this Article
Author
Bibliographic Information
- Title
-
反応性スパッタ法により作製した遷移金属化合物薄膜に関する研究
- Author
-
吉竹, 正明
- Author(Another name)
-
ヨシタケ, マサアキ
- University
-
大阪府立大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第730号
- Degree year
-
1993-04-30
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 本研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 従来の研究の概要 / p2 (0006.jp2)
- 1.3 本研究の目的と方針 / p4 (0007.jp2)
- 参考文献 / p6 (0008.jp2)
- 第2章 反応性イオンビームスパッタ法によるZr-O薄膜の形成 / p7 (0008.jp2)
- 2.1 緒言 / p7 (0008.jp2)
- 2.2 イオンビームスパッタ装置 / p8 (0009.jp2)
- 2.3 Zr-O薄膜の作製と評価方法 / p11 (0010.jp2)
- 2.4 Zr-O薄膜の形成および膜特性の酸素分圧依存性 / p12 (0011.jp2)
- 2.5 スパッタ機構 / p17 (0013.jp2)
- 2.6 Zr-O薄膜形成および膜特性のスパッタイオンビーム電流依存性 / p24 (0017.jp2)
- 2.7 結言 / p30 (0020.jp2)
- 参考文献 / p32 (0021.jp2)
- 第3章 反応性イオンビームスパッタ法によるZr-N薄膜の形成 / p33 (0021.jp2)
- 3.1 緒言 / p33 (0021.jp2)
- 3.2 Zr-N薄膜の作製と評価方法 / p34 (0022.jp2)
- 3.3 Zr-N薄膜の形成および膜特性の窒素分圧依存性 / p34 (0022.jp2)
- 3.4 Zr-N薄膜形成及び膜特性のスパッタイオンビーム電流依存性 / p41 (0025.jp2)
- 3.5 スパッタ機構 / p45 (0027.jp2)
- 3.6 窒素イオンビームによるスパッタ / p49 (0029.jp2)
- 3.7 結言 / p55 (0032.jp2)
- 参考文献 / p57 (0033.jp2)
- 第4章 反応性RFマグネトロンスパッタ法によるZr-N薄膜の形成 / p59 (0034.jp2)
- 4.1 緒言 / p59 (0034.jp2)
- 4.2 RFマグネトロンスパッタ装置の概要 / p60 (0035.jp2)
- 4.3 Zr-N薄膜の作製と評価方法 / p63 (0036.jp2)
- 4.4 窒素-アルゴン混合雰囲気中でのスパッタ / p64 (0037.jp2)
- 4.5 純窒素ガスによるスパッタ / p72 (0041.jp2)
- 4.6 結言 / p77 (0043.jp2)
- 参考文献 / p78 (0044.jp2)
- 第5章 反応性RFマグネトロンスパッタ法によるZr-C薄膜の形成 / p79 (0044.jp2)
- 5.1 緒言 / p79 (0044.jp2)
- 5.2 Zr-C薄膜の作製と評価方法 / p80 (0045.jp2)
- 5.3 アセチレン-アルゴン雰囲気中でのスパッタ / p81 (0045.jp2)
- 5.4 結言 / p89 (0049.jp2)
- 参考文献 / p90 (0050.jp2)
- 第6章 反応性RFマグネトロンスパッタ法によるCr-N薄膜の形成 / p91 (0050.jp2)
- 6.1 緒言 / p91 (0050.jp2)
- 6.2 Cr-N薄膜の作製と評価方法 / p92 (0051.jp2)
- 6.3 窒素-アルゴン雰囲気中でのスパッタ / p92 (0051.jp2)
- 6.4 結言 / p100 (0055.jp2)
- 参考文献 / p102 (0056.jp2)
- 第7章 結論 / p103 (0056.jp2)
- 謝辞 / p106 (0058.jp2)