反応性イオンエッチングによるシリコン表面の電気的損傷に関する研究
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Author
Bibliographic Information
- Title
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反応性イオンエッチングによるシリコン表面の電気的損傷に関する研究
- Author
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浅井, 明
- Author(Another name)
-
アサイ, アキラ
- University
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同志社大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第40号
- Degree year
-
1993-03-21
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0007.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0008.jp2)
- 1-1 DRAMの構造と動作機構 / p2 (0009.jp2)
- 1-2 スタック型メモリ･セル製造プロセス / p5 (0010.jp2)
- 1-3 ドライ･エッチングの種類と機構 / p11 (0013.jp2)
- 1-4 ドライ･エッチングの問題点 / p19 (0017.jp2)
- 1-5 ドライ･エッチングによる損傷とその歴史的背景 / p20 (0018.jp2)
- 1-6 研究の目的と論文の構成 / p24 (0020.jp2)
- 第2章 半導体デバイスの基礎理論 / p26 (0021.jp2)
- 2-1 ショットキー･ダイオード / p26 (0021.jp2)
- 2-2 ショックレー･リード･ホール(SRH)統計 / p34 (0025.jp2)
- 第3章 I-V特性による損傷評価 / p48 (0032.jp2)
- 3-1 RIEによる損傷のI-V特性への影響 / p49 (0032.jp2)
- 3-2 Au/n-Siショットキー･ダイオードのI-V特性を用いた評価 / p49 (0032.jp2)
- 3-3 Au/p-Siショットキー･ダイオードのI-V特性を用いた評価 / p61 (0038.jp2)
- 3-4 I-V特性を用いた評価のまとめ / p68 (0042.jp2)
- 第4章 DLTS法による損傷評価 / p69 (0042.jp2)
- 4-1 Au/n-Siショットキー･ダイオードのDLTS法による評価 / p69 (0042.jp2)
- 4-2 Au/p-Siショットキー･ダイオードのDLTS法による評価 / p84 (0050.jp2)
- 4-3 RIEによる損傷層に含まれる深い準位 / p94 (0055.jp2)
- 第5章 誘導性サセプタンスによる損傷評価 / p96 (0056.jp2)
- 5-1 試料製作と測定方法 / p96 (0056.jp2)
- 5-2 I-V特性 / p99 (0057.jp2)
- 5-3 Y-f特性 / p99 (0057.jp2)
- 5-4 誘導性サセプタンスと再結合電流 / p105 (0060.jp2)
- 5-5 誘導性および容量性のサセプタンス / p106 (0061.jp2)
- 5-6 直流コンダクタンス / p107 (0061.jp2)
- 5-7 誘導性サセプタンスの解析 / p108 (0062.jp2)
- 5-8 アニールの効果 / p109 (0062.jp2)
- 5-9 まとめ / p112 (0064.jp2)
- 第6章 結言 / p113 (0064.jp2)
- 謝辞 / p116 (0066.jp2)
- 付録A / p117 (0066.jp2)
- 付録B / p120 (0068.jp2)
- 付録C / p124 (0070.jp2)
- 付録D / p127 (0071.jp2)
- 参考文献 / p133 (0074.jp2)