半導体パッケージ用の貴金属めっきに関する研究
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Author
Bibliographic Information
- Title
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半導体パッケージ用の貴金属めっきに関する研究
- Author
-
若林, 信一
- Author(Another name)
-
ワカバヤシ, シンイチ
- University
-
信州大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第1号
- Degree year
-
1993-03-16
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第一章 緒言 / p1 (0007.jp2)
- 第二章 金めっき液中の全ヒ素及びヒ素(ІІІ)の定量分析法 / p3 (0009.jp2)
- 1 はじめに / p3 (0009.jp2)
- 2 実験 / p3 (0009.jp2)
- 3 結果 / p5 (0010.jp2)
- 4 考察 / p7 (0011.jp2)
- 5 結論 / p9 (0012.jp2)
- 第三章 金めっき膜中に共析するタリウムのパルスめっきによる制御 / p11 (0014.jp2)
- 1 はじめに / p11 (0014.jp2)
- 2 実験 / p11 (0014.jp2)
- 3 結果 / p13 (0015.jp2)
- 4 考察 / p16 (0017.jp2)
- 5 結論 / p19 (0018.jp2)
- 第四章 金めっきしたセラミックパッケージのダイボンディングの信頼性 / p21 (0020.jp2)
- 1 はじめに / p21 (0020.jp2)
- 2 実験 / p22 (0021.jp2)
- 3 結果 / p23 (0021.jp2)
- 4 考察 / p33 (0026.jp2)
- 5 結論 / p36 (0028.jp2)
- 第五章 金めっき膜中に共析した結晶粒調整剤とワイヤーボンディングの信頼性 / p37 (0029.jp2)
- 1 はじめに / p37 (0029.jp2)
- 2 実験 / p37 (0029.jp2)
- 3 結果 / p38 (0030.jp2)
- 4 考察 / p43 (0032.jp2)
- 5 結論 / p46 (0034.jp2)
- 第六章 無電解めっき法によるパッケージへの金めっき / p49 (0036.jp2)
- 1 はじめに / p49 (0036.jp2)
- 2 実験 / p49 (0036.jp2)
- 3 結果 / p51 (0037.jp2)
- 4 考察 / p58 (0041.jp2)
- 5 結論 / p62 (0043.jp2)
- 第七章 高速低シアン銀めっき液によるめっきの高速化 / p65 (0045.jp2)
- 1 はじめに / p65 (0045.jp2)
- 2 実験 / p65 (0045.jp2)
- 3 結果 / p67 (0046.jp2)
- 4 考察 / p77 (0051.jp2)
- 5 結論 / p80 (0053.jp2)
- 第八章 銀めっきの実装信頼性 / p81 (0054.jp2)
- 1 はじめに / p81 (0054.jp2)
- 2 リードフレーム全面銀めっきのはんだ付け性評価 / p82 (0055.jp2)
- 3 銀めっきリードフレームにおける銀表面への銅の拡散挙動 / p87 (0057.jp2)
- 4 結論 / p94 (0061.jp2)
- 第九章 総括 / p97 (0063.jp2)
- 本論文に関係する発表論文等 / p101 (0065.jp2)
- 引用文献 / p105 (0067.jp2)
- 謝辞 / p111 (0070.jp2)