ホットエレクトロン注入型薄膜EL素子の研究

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著者

    • 周, 桂喜 ショウ, コイシー

書誌事項

タイトル

ホットエレクトロン注入型薄膜EL素子の研究

著者名

周, 桂喜

著者別名

ショウ, コイシー

学位授与大学

静岡大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第84号

学位授与年月日

1993-03-24

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p5 (0005.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 薄膜EL素子の研究 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 ホットエレクトロン注入型EL素子の研究 / p4 (0009.jp2)
  5. 1.3 本研究の目的及び本論文の構成 / p6 (0010.jp2)
  6. 参考文献 / p9 (0011.jp2)
  7. 第2章 Si-SiO₂構造におけるホットエレクトロンの注入 / p13 (0013.jp2)
  8. 2.1 まえがき / p13 (0013.jp2)
  9. 2.2 p型Siにおける電子の生成 / p13 (0013.jp2)
  10. 2.3 SiO₂への電子の注入 / p16 (0015.jp2)
  11. 2.4 印加電圧への考察 / p20 (0017.jp2)
  12. 2.5 まとめ / p21 (0017.jp2)
  13. 参考文献 / p24 (0019.jp2)
  14. 第3章 SiO₂膜中におけるホットエレクトロンの輸送機構 / p26 (0020.jp2)
  15. 3.1 まえがき / p26 (0020.jp2)
  16. 3.2 実験 / p27 (0020.jp2)
  17. 3.3 実験結果及び考察 / p31 (0022.jp2)
  18. 3.4 Alの陽極酸化 / p42 (0028.jp2)
  19. 3.5 まとめ / p48 (0031.jp2)
  20. 参考文献 / p49 (0031.jp2)
  21. 第4章 ホットエレクトロン注入型EL素子 / p51 (0032.jp2)
  22. 4.1 まえがき / p51 (0032.jp2)
  23. 4.2 HEI-EL及び二重絶縁構造薄膜EL素子 / p51 (0032.jp2)
  24. 4.3 実験方法及び測定方法 / p55 (0034.jp2)
  25. 4.4 実験結果及び考察 / p65 (0039.jp2)
  26. 4.5 討論 / p70 (0042.jp2)
  27. 4.6 まとめ / p76 (0045.jp2)
  28. 参考文献 / p78 (0046.jp2)
  29. 第5章 改良型HEI-EL素子 / p80 (0047.jp2)
  30. 5.1 まえがき / p80 (0047.jp2)
  31. 5.2 HEI-EL素子の改良I / p80 (0047.jp2)
  32. 5.3 HEI-EL素子の改良II / p85 (0049.jp2)
  33. 5.4 まとめ / p92 (0053.jp2)
  34. 参考文献 / p94 (0054.jp2)
  35. 第6章 結論 / p95 (0054.jp2)
  36. 謝辞 / p99 (0056.jp2)
  37. 本研究に関する発表論文リスト / p100 (0057.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000095667
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000095893
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000259981
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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