Euを添加したY[2]O[3],Y[2]O[2]S薄膜の作製とエレクトロルミネセンスの研究

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著者

    • 曽和, 國容 ソワ, クニヒロ

書誌事項

タイトル

Euを添加したY[2]O[3],Y[2]O[2]S薄膜の作製とエレクトロルミネセンスの研究

著者名

曽和, 國容

著者別名

ソワ, クニヒロ

学位授与大学

静岡大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第85号

学位授与年月日

1993-03-24

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Abstract / p4 (0006.jp2)
  2. 目次 / p6 (0008.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0010.jp2)
  4. 1.1 はじめに / p1 (0010.jp2)
  5. 1.2 ELディスプレイの歴史 / p3 (0012.jp2)
  6. 1.3 ELディスプレイの問題点 / p7 (0016.jp2)
  7. 1.4 論文の構成 / p9 (0018.jp2)
  8. 第2章 研究(EL)の理論的背景 / p14 (0023.jp2)
  9. 2.1 構造 / p14 (0023.jp2)
  10. 2.2 発光機構 / p17 (0026.jp2)
  11. 2.3 蛍光体の種類とELへの適応性 / p25 (0034.jp2)
  12. 2.4 希土類添加,酸化物及び酸化硫化物蛍光体のEL発光 / p26 (0035.jp2)
  13. 第3章 蛍光体薄膜の作製 / p31 (0040.jp2)
  14. 3.1 Y₂2O₃:Eu薄膜の作製 / p31 (0040.jp2)
  15. 3.2 Y₂O₂S:EU薄膜の作製 / p45 (0054.jp2)
  16. 第4章 エレクトロルミネセンス / p64 (0073.jp2)
  17. 4.1 素子構造 / p64 (0073.jp2)
  18. 4.2 Y₂O₃:Euを発光層とするEL / p66 (0075.jp2)
  19. 4.3 Y₂O₂S:Euを発光層とするEL / p74 (0083.jp2)
  20. 4.4 考察 / p77 (0086.jp2)
  21. 第5章 EL発光励起機構の検討 / p78 (0087.jp2)
  22. 5.1 三発光層素子 / p78 (0087.jp2)
  23. 5.2 キャリアの侵入深さの検討 / p85 (0094.jp2)
  24. 5.3 単発光層素子 / p90 (0099.jp2)
  25. 5.4 まとめ / p98 (0107.jp2)
  26. 第6章 結論 / p101 (0110.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000095668
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000095894
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000259982
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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