高純度領域を有するユニポーラ型静電誘導トランジスタに関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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高純度領域を有するユニポーラ型静電誘導トランジスタに関する研究
- 著者名
-
矢野, 浩司
- 著者別名
-
ヤノ, コウジ
- 学位授与大学
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静岡大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
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甲第88号
- 学位授与年月日
-
1993-03-24
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0004.jp2)
- 1 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1.1 SITの歴史 / p1 (0006.jp2)
- 1.2 SITの動作原理 / p7 (0009.jp2)
- 1.3 SITの電気的特性 / p16 (0014.jp2)
- 1.4 SITの構造の種類 / p19 (0015.jp2)
- 1.5 SITのデバイスシミュレーション / p22 (0017.jp2)
- 1.6 本研究の目的と各章の概要 / p24 (0018.jp2)
- 2 2次元数値解析法 / p33 (0022.jp2)
- 2.1 序言 / p33 (0022.jp2)
- 2.2 基本方程式 / p34 (0023.jp2)
- 2.3 基本方程式の数値解法 / p42 (0027.jp2)
- 2.4 結言 / p51 (0031.jp2)
- 3 高純度領域を有するSITの基本的な動作及び特性 / p55 (0033.jp2)
- 3.1 序言 / p55 (0033.jp2)
- 3.2 解析構造及び設定パラメータ / p56 (0034.jp2)
- 3.3 解析結果及び考察 / p58 (0035.jp2)
- 3.4 結言 / p73 (0042.jp2)
- 4 遮蔽ゲートSITの特性と設計 / p77 (0044.jp2)
- 4.1 序言 / p77 (0044.jp2)
- 4.2 遮蔽ゲートSITの動作原理 / p80 (0046.jp2)
- 4.3 解析構造 / p82 (0047.jp2)
- 4.4 解析結果及び考察 / p83 (0047.jp2)
- 4.5 結言 / p99 (0055.jp2)
- 5 バックゲート領域のMOSSIT特性への効果 / p103 (0057.jp2)
- 5.1 序言 / p103 (0057.jp2)
- 5.2 バックゲート領域設置の概念 / p105 (0058.jp2)
- 5.3 解析構造及び境界条件 / p108 (0060.jp2)
- 5.4 解析結果 / p110 (0061.jp2)
- 5.5 結言 / p121 (0066.jp2)
- 6 結論 / p125 (0068.jp2)
- 謝辞 / p127 (0069.jp2)
- 研究業績目録 / p128 (0070.jp2)