高純度領域を有するユニポーラ型静電誘導トランジスタに関する研究

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著者

    • 矢野, 浩司 ヤノ, コウジ

書誌事項

タイトル

高純度領域を有するユニポーラ型静電誘導トランジスタに関する研究

著者名

矢野, 浩司

著者別名

ヤノ, コウジ

学位授与大学

静岡大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第88号

学位授与年月日

1993-03-24

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 1 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 SITの歴史 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 SITの動作原理 / p7 (0009.jp2)
  5. 1.3 SITの電気的特性 / p16 (0014.jp2)
  6. 1.4 SITの構造の種類 / p19 (0015.jp2)
  7. 1.5 SITのデバイスシミュレーション / p22 (0017.jp2)
  8. 1.6 本研究の目的と各章の概要 / p24 (0018.jp2)
  9. 2 2次元数値解析法 / p33 (0022.jp2)
  10. 2.1 序言 / p33 (0022.jp2)
  11. 2.2 基本方程式 / p34 (0023.jp2)
  12. 2.3 基本方程式の数値解法 / p42 (0027.jp2)
  13. 2.4 結言 / p51 (0031.jp2)
  14. 3 高純度領域を有するSITの基本的な動作及び特性 / p55 (0033.jp2)
  15. 3.1 序言 / p55 (0033.jp2)
  16. 3.2 解析構造及び設定パラメータ / p56 (0034.jp2)
  17. 3.3 解析結果及び考察 / p58 (0035.jp2)
  18. 3.4 結言 / p73 (0042.jp2)
  19. 4 遮蔽ゲートSITの特性と設計 / p77 (0044.jp2)
  20. 4.1 序言 / p77 (0044.jp2)
  21. 4.2 遮蔽ゲートSITの動作原理 / p80 (0046.jp2)
  22. 4.3 解析構造 / p82 (0047.jp2)
  23. 4.4 解析結果及び考察 / p83 (0047.jp2)
  24. 4.5 結言 / p99 (0055.jp2)
  25. 5 バックゲート領域のMOSSIT特性への効果 / p103 (0057.jp2)
  26. 5.1 序言 / p103 (0057.jp2)
  27. 5.2 バックゲート領域設置の概念 / p105 (0058.jp2)
  28. 5.3 解析構造及び境界条件 / p108 (0060.jp2)
  29. 5.4 解析結果 / p110 (0061.jp2)
  30. 5.5 結言 / p121 (0066.jp2)
  31. 6 結論 / p125 (0068.jp2)
  32. 謝辞 / p127 (0069.jp2)
  33. 研究業績目録 / p128 (0070.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000095671
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000095897
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000259985
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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