Ge/Si・ヘテロエピタキシャル成長機構の研究

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著者

    • 大島, 直樹 オオシマ, ナオキ

書誌事項

タイトル

Ge/Si・ヘテロエピタキシャル成長機構の研究

著者名

大島, 直樹

著者別名

オオシマ, ナオキ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第2772号

学位授与年月日

1993-03-25

注記・抄録

博士論文

名古屋大学博士学位論文 学位の種類:博士(工学) (課程) 学位授与年月日:平成5年3月25日

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 本研究の概要 / p3 (0007.jp2)
  5. 1.3 参考文献 / p5 (0008.jp2)
  6. 第2章 エピタキシャル成長方法 / p7 (0010.jp2)
  7. 2.1 ガスソースMBE法 / p7 (0010.jp2)
  8. 2.2 反射高速電子回折(RHEED) / p8 (0011.jp2)
  9. 2.3 実験装置 / p10 (0012.jp2)
  10. 2.4 Si基板の清浄表面の作成 / p12 (0013.jp2)
  11. 2.5 オージェ電子分光(AES)法 / p14 (0014.jp2)
  12. 2.6 参考文献 / p17 (0015.jp2)
  13. 第3章 Si基板上のGe膜の成長初期過程 / p19 (0017.jp2)
  14. 3.1(100)Si基板上のGe膜の成長初期過程 / p19 (0017.jp2)
  15. 3.2(111)Si基板上のGe膜の成長初期過程 / p49 (0033.jp2)
  16. 3.3(811)Si基板上のGe膜の成長初期過程 / p61 (0040.jp2)
  17. 3.4(311)Si基板上のGe膜の成長過程 / p73 (0047.jp2)
  18. 第4章(100)Si基板上に成長したGe膜の構造の熱的安定性 / p88 (0056.jp2)
  19. 4.1 はじめに / p88 (0056.jp2)
  20. 4.2 実験方法 / p88 (0056.jp2)
  21. 4.3 実験結果及び考察 / p90 (0057.jp2)
  22. 4.4 まとめ / p100 (0062.jp2)
  23. 4.5 参考文献 / p100 (0062.jp2)
  24. 第5章(100)Si基板上の[化学式]膜の成長過程と歪緩和 / p101 (0064.jp2)
  25. 5.1 はじめに / p101 (0064.jp2)
  26. 5.2 実験結果及び考察 / p101 (0064.jp2)
  27. 5.3 まとめ / p114 (0071.jp2)
  28. 5.4 参考文献 / p115 (0071.jp2)
  29. 第6章 ガスソースMBE成長における表面反応 / p117 (0073.jp2)
  30. 6.1 はじめに / p117 (0073.jp2)
  31. 6.2 Siホモエピタキシャル成長における反応機構 / p117 (0073.jp2)
  32. 6.3 Si基板上のGeヘテロエピタキシャル成長における反応機構 / p123 (0076.jp2)
  33. 6.4 まとめ / p131 (0080.jp2)
  34. 6.5 参考文献 / p132 (0081.jp2)
  35. 第7章 結論 / p133 (0081.jp2)
  36. 謝辞 / p136 (0083.jp2)
  37. 研究業績 / p137 (0083.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000095757
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000095983
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000260071
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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