Ge/Si・ヘテロエピタキシャル成長機構の研究
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Bibliographic Information
- Title
-
Ge/Si・ヘテロエピタキシャル成長機構の研究
- Author
-
大島, 直樹
- Author(Another name)
-
オオシマ, ナオキ
- University
-
名古屋大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第2772号
- Degree year
-
1993-03-25
Note and Description
博士論文
名古屋大学博士学位論文 学位の種類:博士(工学) (課程) 学位授与年月日:平成5年3月25日
Table of Contents
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1.1 はじめに / p1 (0006.jp2)
- 1.2 本研究の概要 / p3 (0007.jp2)
- 1.3 参考文献 / p5 (0008.jp2)
- 第2章 エピタキシャル成長方法 / p7 (0010.jp2)
- 2.1 ガスソースMBE法 / p7 (0010.jp2)
- 2.2 反射高速電子回折(RHEED) / p8 (0011.jp2)
- 2.3 実験装置 / p10 (0012.jp2)
- 2.4 Si基板の清浄表面の作成 / p12 (0013.jp2)
- 2.5 オージェ電子分光(AES)法 / p14 (0014.jp2)
- 2.6 参考文献 / p17 (0015.jp2)
- 第3章 Si基板上のGe膜の成長初期過程 / p19 (0017.jp2)
- 3.1(100)Si基板上のGe膜の成長初期過程 / p19 (0017.jp2)
- 3.2(111)Si基板上のGe膜の成長初期過程 / p49 (0033.jp2)
- 3.3(811)Si基板上のGe膜の成長初期過程 / p61 (0040.jp2)
- 3.4(311)Si基板上のGe膜の成長過程 / p73 (0047.jp2)
- 第4章(100)Si基板上に成長したGe膜の構造の熱的安定性 / p88 (0056.jp2)
- 4.1 はじめに / p88 (0056.jp2)
- 4.2 実験方法 / p88 (0056.jp2)
- 4.3 実験結果及び考察 / p90 (0057.jp2)
- 4.4 まとめ / p100 (0062.jp2)
- 4.5 参考文献 / p100 (0062.jp2)
- 第5章(100)Si基板上の[化学式]膜の成長過程と歪緩和 / p101 (0064.jp2)
- 5.1 はじめに / p101 (0064.jp2)
- 5.2 実験結果及び考察 / p101 (0064.jp2)
- 5.3 まとめ / p114 (0071.jp2)
- 5.4 参考文献 / p115 (0071.jp2)
- 第6章 ガスソースMBE成長における表面反応 / p117 (0073.jp2)
- 6.1 はじめに / p117 (0073.jp2)
- 6.2 Siホモエピタキシャル成長における反応機構 / p117 (0073.jp2)
- 6.3 Si基板上のGeヘテロエピタキシャル成長における反応機構 / p123 (0076.jp2)
- 6.4 まとめ / p131 (0080.jp2)
- 6.5 参考文献 / p132 (0081.jp2)
- 第7章 結論 / p133 (0081.jp2)
- 謝辞 / p136 (0083.jp2)
- 研究業績 / p137 (0083.jp2)
