酸化物高温超伝導薄膜の成長方位制御とその特性に関する研究
Access this Article
Search this Article
Author
Bibliographic Information
- Title
-
酸化物高温超伝導薄膜の成長方位制御とその特性に関する研究
- Author
-
浅野, 秀文
- Author(Another name)
-
アサノ, ヒデフミ
- University
-
名古屋大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第4336号
- Degree year
-
1993-02-03
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 本研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 本研究の目的 / p6 (0008.jp2)
- 第2章 実験方法 / p9 (0009.jp2)
- 2.1 薄膜の作製方法 / p9 (0009.jp2)
- 2.2 薄膜の基本的性質の評価 / p19 (0014.jp2)
- 第3章 90K級c軸成長膜 / p25 (0017.jp2)
- 3.1 はじめに / p25 (0017.jp2)
- 3.2 スパッタ組成変動に関する検討 / p27 (0018.jp2)
- 3.3 in-situ薄膜の成長機構 / p40 (0025.jp2)
- 3.4 c軸成長膜の基本特性 / p55 (0032.jp2)
- 3.5 薄膜形成法に関する比較 / p68 (0039.jp2)
- 3.6 まとめ / p72 (0041.jp2)
- 第4章 成長方位制御とa軸成長膜 / p75 (0042.jp2)
- 4.1 はじめに / p75 (0042.jp2)
- 4.2 成長方位制御 / p76 (0043.jp2)
- 4.3 a軸成長膜の結晶性と超伝導特性 / p87 (0048.jp2)
- 4.4 まとめ / p98 (0054.jp2)
- 第5章 接合用a軸成長膜の積層化と表面構造 / p101 (0055.jp2)
- 5.1 はじめに / p101 (0055.jp2)
- 5.2 a軸成長膜上への貴金属層の積層 / p103 (0056.jp2)
- 5.3 トンネル接合の作製 / p108 (0059.jp2)
- 5.4 酸素分圧変調による膜表面構造の改善 / p113 (0061.jp2)
- 5.5 ECR処理による表面クリーニング / p116 (0063.jp2)
- 5.6 まとめ / p123 (0066.jp2)
- 第6章 マイクロ波デバイス用薄膜の高周波表面抵抗と膜構造 / p125 (0067.jp2)
- 6.1 はじめに / p125 (0067.jp2)
- 6.2 測定方法 / p128 (0069.jp2)
- 6.3 薄膜の高周波表面抵抗と膜構造 / p130 (0070.jp2)
- 6.4 まとめ / p148 (0079.jp2)
- 第7章 結論 / p149 (0079.jp2)
- 謝辞 / p153 (0081.jp2)
- 参考文献 / p155 (0082.jp2)
- 研究発表リスト / p166 (0088.jp2)