シリコンウェハの鏡面研磨における形状精度に関する研究

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Author

    • 赤松, 潔 アカマツ, キヨシ

Bibliographic Information

Title

シリコンウェハの鏡面研磨における形状精度に関する研究

Author

赤松, 潔

Author(Another name)

アカマツ, キヨシ

University

埼玉大学

Types of degree

博士 (工学)

Grant ID

甲第43号

Degree year

1993-03-24

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 記号の説明 / p5 (0005.jp2)
  3. 第1章 緒論 / p1 (0007.jp2)
  4. 第1.1節 動機と目的 / p1 (0007.jp2)
  5. 第1.2節 研磨加工の研究動向 / p5 (0009.jp2)
  6. 第1.3節 本研究の概要 / p9 (0011.jp2)
  7. 参考文献 / p14 (0014.jp2)
  8. 第2章 ウェハ片面研磨における形状精度劣化現象の解明 / p19 (0016.jp2)
  9. 第2.1節 研磨圧力分布のウェハ形状への影響 / p21 (0017.jp2)
  10. 2.1.1 ポリシャの変形によるウェハ精度の劣化 / p21 (0017.jp2)
  11. 2.1.2 ウェハの動圧浮上量のウェハ精度への影響 / p27 (0020.jp2)
  12. 第2.2節 研磨距離分布のウェハ形状への影響 / p30 (0022.jp2)
  13. 2.2.1 両面研磨におけるウェハ保持条件の影響 / p30 (0022.jp2)
  14. 2.2.2 枚葉式研磨における揺動条件の影響 / p32 (0023.jp2)
  15. 第2.3節 研磨温度分布のウェハ形状への影響 / p35 (0024.jp2)
  16. 第2.4節 本章の結言 / p35 (0024.jp2)
  17. 参考文献 / p37 (0025.jp2)
  18. 第3章 研磨面温度分布のウェハ形状精度への影響 / p38 (0026.jp2)
  19. 第3.1節 研磨中のウェハ面の温度分布と平面度 / p38 (0026.jp2)
  20. 3.1.1 ウェハ面の温度分布測定方法 / p38 (0026.jp2)
  21. 3.1.2 ウェハ面温度への影響因子 / p40 (0027.jp2)
  22. 3.1.3 ウェハの研磨実験及び形状測定 / p40 (0027.jp2)
  23. 3.1.4 サーミスタセンサの測定精度と再現性 / p42 (0028.jp2)
  24. 3.1.5 ウェハ面の温度分布 / p42 (0028.jp2)
  25. 3.1.6 ウェハ平面度に対するウェハ面温度分布の影響 / p48 (0031.jp2)
  26. 3.1.7 本節の要約 / p50 (0032.jp2)
  27. 第3.2節 研磨条件のウェハ面温度差への影響 / p52 (0033.jp2)
  28. 3.2.1 実験方法 / p52 (0033.jp2)
  29. 3.2.2 研磨圧及びポリシャ回転数の影響 / p52 (0033.jp2)
  30. 3.2.3 同一ポリシャによる累積研磨時間の影響 / p56 (0035.jp2)
  31. 3.2.4 研磨剤流量の影響 / p58 (0036.jp2)
  32. 3.2.5 ポリシャにおける発熱の影響 / p60 (0037.jp2)
  33. 3.2.6 ポリシャ材質の影響 / p60 (0037.jp2)
  34. 3.2.7 ポリシャの湿潤管理 / p62 (0038.jp2)
  35. 3.2.8 本節の要約 / p65 (0039.jp2)
  36. 第3.3節 本章の結言 / p66 (0040.jp2)
  37. 参考文献 / p67 (0040.jp2)
  38. 第4章 両面研磨の高精度化と高能率化 / p68 (0041.jp2)
  39. 第4.1節 液中両面研磨装置によるウェハの高精度化 / p69 (0041.jp2)
  40. 4.1.1 実験装置 / p69 (0041.jp2)
  41. 4.1.2 インプロセスウェハ板厚計測方法 / p72 (0043.jp2)
  42. 4.1.3 研磨剤中のウェハの超音波板厚計測 / p74 (0044.jp2)
  43. 4.1.4 両面研磨中のインプロセス板厚計測 / p76 (0045.jp2)
  44. 4.1.5 本節の要約 / p83 (0048.jp2)
  45. 第4.2節 両面研磨における高能率化 / p84 (0049.jp2)
  46. 4.2.1 実験装置及び方法 / p84 (0049.jp2)
  47. 4.2.2 ポリシャ表面温度への影響因子 / p87 (0050.jp2)
  48. 4.2.3 ポリシャ表面温度に及ぼすポリシャの摩擦係数の影響 / p87 (0050.jp2)
  49. 4.2.4 ポリシャ表面温度に及ぼす加工面積比の影響 / p89 (0051.jp2)
  50. 4.2.5 ポリシャ表面温度に及ぼす研磨圧力の影響 / p93 (0053.jp2)
  51. 4.2.6 ポリシヤ表面温度に及ぼす研磨剤温度の影響 / p96 (0055.jp2)
  52. 4.2.7 本節の要約 / p96 (0055.jp2)
  53. 第4.3節 本章の結言 / p100 (0057.jp2)
  54. 参考文献 / p101 (0057.jp2)
  55. 第5章 量産対応の両面研磨 / p102 (0058.jp2)
  56. 第5.1節 エッチしたウェハの平滑研磨 / p103 (0058.jp2)
  57. 5.1.1 実験方法 / p103 (0058.jp2)
  58. 5.1.2 エッチしたウェハの平滑化過程 / p105 (0059.jp2)
  59. 5.1.3 ポリシャの機械的作用の研磨能率に及ぼす影響 / p107 (0060.jp2)
  60. 5.1.4 両面研磨におけるポリシャの使いわけによる片面鏡面化 / p111 (0062.jp2)
  61. 5.1.5 両面研磨における相対速度差による片面鏡面化 / p111 (0062.jp2)
  62. 5.1.6 研磨ウェハの平面度 / p113 (0063.jp2)
  63. 5.1.7 本節の要約 / p113 (0063.jp2)
  64. 第5.2節 2枚重ね研磨方式による片面鏡面化の検討 / p116 (0065.jp2)
  65. 5.2.1 実験方法 / p116 (0065.jp2)
  66. 5.2.2 ウェハの2枚重ね接着における精度 / p116 (0065.jp2)
  67. 5.2.3 2枚重ねウェハの研磨精度 / p118 (0066.jp2)
  68. 5.2.4 本節の要約 / p121 (0067.jp2)
  69. 第5.3節 本章の結言 / p122 (0068.jp2)
  70. 参考文献 / p123 (0068.jp2)
  71. 第6章 枚葉式研磨の高精度化 / p124 (0069.jp2)
  72. 第6.1節 真空吸着によるウェハ保持 / p125 (0069.jp2)
  73. 6.1.1 実験装置の試作 / p125 (0069.jp2)
  74. 6.1.2 実験方法 / p125 (0069.jp2)
  75. 6.1.3 実験結果 / p125 (0069.jp2)
  76. 6.1.4 本節の要約 / p129 (0071.jp2)
  77. 第6.2節 枚葉式研磨におけるソフトチャッキングについて / p132 (0073.jp2)
  78. 6.2.1 枚葉式研磨におけるウェハ高精度化の課題 / p132 (0073.jp2)
  79. 6.2.2 実験装置 / p132 (0073.jp2)
  80. 6.2.3 実験方法 / p135 (0074.jp2)
  81. 6.2.4 ディンプルの発生メカニズム / p138 (0076.jp2)
  82. 6.2.5 含水量制御ソフトチャッキング / p141 (0077.jp2)
  83. 6.2.6 本節の要約 / p147 (0080.jp2)
  84. 第6.3節 枚葉式研磨の量産技術 / p148 (0081.jp2)
  85. 6.3.1 実験方法 / p148 (0081.jp2)
  86. 6.3.2 ポリシャの偏摩耗のウェハ平面度に及ぼす影響 / p148 (0081.jp2)
  87. 6.3.3 ポリシャ上の研磨距離分布 / p150 (0082.jp2)
  88. 6.3.4 研磨距離分布の均一化 / p153 (0083.jp2)
  89. 6.3.5 本節の要約 / p153 (0083.jp2)
  90. 第6.4節 本章の結言 / p155 (0084.jp2)
  91. 参考文献 / p156 (0085.jp2)
  92. 第7章 半導体素子への適用 / p157 (0085.jp2)
  93. 第7.1節 研磨加工プロセス / p157 (0085.jp2)
  94. 7.1.1 加工条件と加工精度の評価方法 / p157 (0085.jp2)
  95. 7.1.2 開発プロセスの研磨結果 / p160 (0087.jp2)
  96. 第7.2節 半導体メモリーへの適用 / p162 (0088.jp2)
  97. 参考文献 / p162 (0088.jp2)
  98. 第8章 結論 / p163 (0088.jp2)
  99. 第8.1節 本研究の結果の要約 / p163 (0088.jp2)
  100. 第8.2節 本研究の工学的、工業的意味 / p168 (0091.jp2)
  101. 本研究に関する研究論文、学会講演 / p170 (0092.jp2)
  102. 謝辞 / p174 (0094.jp2)
21access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000096325
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000096551
  • DOI(NDL)
  • NDLBibID
    • 000000260639
  • Source
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections
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